半导体温度计的设计与制作实验报告.docx
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1、试验题目:半导体温度计的设计勺制作试验目的:测试温度在 20-70 C 的范围内,选用适宜的热敏电阻和非平衡电桥线路或选用你认为更好 的测温电路来设计一半导体温度计。试验原理:1半导体温度计就是利用半导体的电阻值随温度急剧变化的特性而制作的”以半导体热敏电阻为传感器,通过测量其电阻值来确定温度的仪器。这种测量方法为非电量的电测法。2由于金属氧化物半导体的电阻值对温度的反响很灵敏参见试验,因此可以作为为实现非电量的电测法,承受电学仪器来测量热敏电阻的阻值,还需要 了解热敏电阻的伏安特性。由图 1 可知,在 Vl 曲线的起始局部,曲线接近线性,此时,热敏电阻的阻值主要与外界温度有矢, 电流的影响可
2、以无视不计。3半导体温度计测温电路的原理图如图2 所示,当电桥平衡时,R2R虽 1幔电俎&姿特性曲驟表的指示必为零,此时应满足条件R;,假设取 R=R,贝UR3的数值即为 RT 的数值。平衡后,假设电桥某一臂的电阻又发生转变如 RT那么平衡将受到破坏,微安计中将有电流流过, 的电流的大小直接反映了热敏电阻的阻值的大小。微安计中4当热敏电阻的阻值在测温量程的下限R时,要求微安计的读数为零即 IG=O,此时电桥处于平衡状态,满足平衡条件。假设取 R 匸 R,那么 R=RTI,即矗就是热敏电阻处在测温量程的下限温度时的 电阻值,由此也就打算了F3 的电阻值。5当温度增加时,热敏电阻的电阻值就会减小,
3、电桥消灭不平衡,在微安计中就有电流流过。当热敏电阻处在测温量程的上限温度电阻值 RT2 时,要求微安计的读数为满刻度。由于IT I G,那么加在电桥两端上的电压 VCD 近似有:VCDIT(RSR)(1)依据图 2的电桥电路,由基尔霍夫方程组可以求出R2RT2R1 R2R1 R2R3 RT2R3 RT2VCDR R2R3 RT2由于 R=R2、R3=RTI,整理后有 Rl 葩36般加在电桥两端的电压1 G2RT1RT2RT1 RT2VCD 比所选定的电池的电动势要低些,为了保证电桥两端所需的电压,通常在电源电路中串联一个可变电阻器R,它的电阻值应依据电桥电路中的总电流来选择。试验内容:1 在坐
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