电气工程师-专业基础（供配电）-模拟电子技术-2.1半导体及二极管.docx

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1、电气工程师-专业基础（供配电）-模拟电子技术-2.1半导体及二极管单选题1.测得一放大电路中三极管各级电压如图2-1-1所示，则该三极管为()。2018年真题图2-1-1A.NPN型锗管B.NPN型硅管C.PNP型锗管D.PNP型硅管 正确答案：D参考解析：由PN结特性可知，三极管的基极与发射极之间的电压UBE为一固定值，对于硅管，为0.7V左右；对于锗管，为0.3V左右。因为UBE不会超过0.7V左右或0.3V左右，所以UC为集电极电压，则本题中UC6V。又因为当PNP三极管工作在放大区时电压UEUBUC，NPN三极管工作在放大区时电压UCUBUE。由于UC电压最小，则三极管类型是PNP。通

2、过发射极电压UE2V与基极电压UB2.6V之间的差值UBE0.6V0.7V可以判断，三极管为硅管。单选题2.已知图2-1-2中二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是()。2017年真题图2-1-2A.VT1饱和，VT2饱和B.VT1截止，VT2饱和C.VT1截止，VT2放大D.VT1放大，VT2放大 正确答案：B参考解析：二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结正向导通压降为0.7V，所以：图2-1-3（a）中，由于参考点电位为0.3V，二极管正向导通时UE0.6V，1V的基极电压不足以使发射结导通，所以发射结反偏；集电极电压高于基极电压，

3、则集电结反偏。所以VT1截止。图2-1-3（b）中，UB6V，发射级正偏；UE60.75.3V，IEUE/10005.3mA，又ICIE，UC1235.33.9V，集电极正偏。所以VT2处于饱和状态。图2-1-3（a）图2-1-3（b）单选题3.电路如图2-1-4所示，设硅稳压管VDZ1和VDZ2的稳压值分别为5V和10V，正向导通压降均为0.7V，则输出电压Uo为()。2017年真题图2-1-4A.5.7VB.5VC.10VD.10.7V 正确答案：A参考解析：当稳压管工作于反向击穿区时，虽然电流变化很大，但稳压管端电压的变化却很小。由稳压管的伏安特性曲线可知：假设初始阶段Z1和Z2均不导通

4、，则Z1和Z2两端电压之和为25V，故此时Z1工作于反向击穿状态，Z1两端电压为稳压值5V；Z2工作于正向导通状态，Z2两端电压为正向压降0.7V。则：Uo50.75.7V。单选题4.N型半导体和P型半导体所呈现的电性分别为()。2013年真题A.正电，负电B.负电，正电C.负电，负电D.中性，中性 正确答案：D参考解析：半导体和掺入的微量元素都是电中性的，在掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷，只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴，但并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态，N型半导体和P型半导体仍然呈现电中性。区别在于N型半导体的多数载流子为电子，P型半导体的多数载流子为空穴。单

5、选题5.如图2-1-5所示，设二极管为理想元件，当ui150V时，u0为()。2012年真题图2-1-5A.25VB.75VC.100VD.150V 正确答案：C参考解析：如图2-1-6所示，设D1、D2的共阳极点为A点，假设没有D2，D1肯定能够导通。A点的电压为uA，根据（uiuA）/100（uA25）/200，得：uA108.3V100V，则D2导通，此时uA100V，D1也导通，所以uA100V，uo100V。图2-1-6单选题6.如图2-1-7所示电路中，二极管性能理想，则电压UAB为()。2010年真题图2-1-7A.5VB.15VC.10VD.25V 正确答案：B参考解析：理想二

6、极管的特性：当给二极管施加正向电压时，导通；反之，则截止。将二极管D1、D2断开，以B点作为电位参考点，则D1的阳极电位为10V，阴极电位为0V，D2的阳极电位为10V，阴极电位为15V，假设二极管D1和D2均为正向偏置。D2一旦导通，D1的阳极电位变为15V，D1便不再导通。因此该电路D1截止，D2导通，UAB15V。单选题7.在如图2-1-8所示电路中，设二极管正向导通时的压降为0.7V，则电压Ua为()V。2008年真题图2-1-8A.0.7B.0.3C.5.7D.11.4 正确答案：B参考解析：如图2-1-9所示，先将a点断开，求出此时a点电位。若a点电位大于0.7V，则D导通；否则D

7、截止，Ua等于此时a点电位值。因为IU/R（5.75.7）/（2.73）2mA，所以UaI35.7235.70.3V0.7V，因此二极管D截止，Ua0.3V。图2-1-9单选题8.如图2-1-10所示电路中，设DZ1的稳定电压为7V，DZ2的稳定电压为13V。则电压UAB等于()。2006年真题图2-1-10A.0.7VB.7VC.13VD.20V 正确答案：B参考解析：由于稳压管Dz1的稳定电压小于Dz2的稳定电压，因此Dz1先反向击穿，电压被钳位在7V。此时Dz2仍保持反向截止，因此UAB7V。稳压管并联时，电压为稳压值低的稳压管的额定稳定电压。单选题9.NPN型晶体管工作在放大状态时，其

8、发射极电压与发射极电流的关系为()。2012年真题A.B.C.D. 正确答案：C参考解析：当NPN型晶体管工作在放大状态时，基极与发射极为正向偏置的PN结。由PN结二极管理想状态特性方程：可得，且发射极电压为UBE，发射极电流为IE，将其带入二极管理想状态特性方程后，易知C项正确。单选题10.半导体二极管正向伏安（UI）特性曲线是一条()。A.过零点的直线B.不过零点的直线C.经过零点的一条射线D.近似一条指数线 正确答案：D参考解析：半导体二极管是非线性器件，具有单向导电性，其伏安特性解析表达式为：，式中U为二极管两端外加电压，I为通过二极管的电流，Ie为反向饱和电流，I与U呈现指数关系，UI特性曲线近似一条指数线。单选题11.在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如表2-1-1所示，其中性能最好的一个二极管是()。表2-1-1A.AB.BC.CD.D 正确答案：B参考解析：从参数表中可以看出三个二极管的正向电流相等、反向击穿电压相等，反向电流越小的二极管单向导电性越好，即性能越好。单选题12.在整流电路中，二极管之所以能整流，是因为它具有()。A.电流放大特性B.单向导电的特性C.反向击穿的性能D.稳压特性 正确答案：B参考解析：整流电路就是利用的二极管单向导电的特性，将交流电变为单向的直流电。