X射线光电子谱(XPS).pptx

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1、X射线光电子谱射线光电子谱(XPS)X-ray Photoelectron Spectroscopy2021/9/121XPS 引言引言X X射射线线光光电电子子谱谱是是重重要要的的表表面面分分析析技技术术之之一一。它它不不仅仅能能探探测测表表面面的的化化学学组组成成，而而且且可可以以确确定定各各元元素素的的化化学学状状态态，因此，在化学、材料科学及表面科学中得以广泛的应用。因此，在化学、材料科学及表面科学中得以广泛的应用。X X射射线线光光电电子子能能谱谱是是瑞瑞典典UppsalaUppsala大大学学K.SiegbahnK.Siegbahn及及其其同同事事经经过过近近2020年年的的潜潜心

2、心研研究究而而建建立立的的一一种种分分析析方方法法。他他们们发发现现了了内内层层电电子子结结合合能能的的位位移移现现象象，解解决决了了电电子子能能量量分分析析等等技技术术问问题题，测测定定了了元元素素周周期期表表中中各各元元素素轨轨道道结结合合能能，并成功地应用于许多实际的化学体系。并成功地应用于许多实际的化学体系。2021/9/122XPS 引言引言K.SiegbahnK.Siegbahn给给这这种种谱谱仪仪取取名名为为化化学学分分析析电电子子能能谱谱(Electron(Electron Spectroscopy Spectroscopy for for Chemical Chemical

3、Analysis)Analysis)，简简称称为为“ESCA”“ESCA”，这这一一称称谓谓仍仍在在分分析析领领域域内内广泛使用。广泛使用。随随着着科科学学技技术术的的发发展展，XPSXPS也也在在不不断断地地完完善善。目目前前，已已开开发发出出的的小小面面积积X X射射线线光光电电子子能能谱谱，大大提高了大大提高了XPSXPS的空间分辨能力。的空间分辨能力。2021/9/123能量关系可表示：能量关系可表示：原子的反冲能量原子的反冲能量忽略忽略 (0.1eV (0.1eV）得）得电子结合能电子结合能电子动能电子动能基本原理就是光电效应基本原理就是光电效应XPS 基本原理2021/9/124X

4、PS 光电效应光电效应v光电效应光电效应电子的结合能电子的结合能：是指原子中某个电子吸收了一：是指原子中某个电子吸收了一个光子的全部能量后，消耗一部分能量以克服原个光子的全部能量后，消耗一部分能量以克服原子核的束缚而达到样品的费米能级，这一过程所子核的束缚而达到样品的费米能级，这一过程所消耗的能量也就是这个电子所在的费米能。消耗的能量也就是这个电子所在的费米能。样品的功函数样品的功函数：达到：达到Fermi能级的电子束不再受能级的电子束不再受原子核的束缚，但要继续前进还必须克服样品晶原子核的束缚，但要继续前进还必须克服样品晶格对它们的引力，这一过程所消耗的能量。格对它们的引力，这一过程所消耗的

5、能量。2021/9/125对固体样品，必须对固体样品，必须考虑晶体势场和表考虑晶体势场和表面势场对光电子的面势场对光电子的束缚作用，通常选束缚作用，通常选取取费米费米(Fermi)(Fermi)能能级级为为 的参考点。的参考点。0k0k时固体能带中充时固体能带中充满电子的最高能级满电子的最高能级对孤立原子或分子，对孤立原子或分子，就是把电子从所在轨道移就是把电子从所在轨道移到真空需的能量，是以真空能级为能量零点的。到真空需的能量，是以真空能级为能量零点的。功函数功函数2021/9/126功函数功函数为防止样品上正电荷积累，固体样品必须保持为防止样品上正电荷积累，固体样品必须保持和谱仪的良好电接

6、触，两者费米能级一致。和谱仪的良好电接触，两者费米能级一致。实际测到的电子动能为：实际测到的电子动能为：仪器功函数仪器功函数2021/9/127XPS X射线光电子谱仪射线光电子谱仪 vX X射线光电子谱仪射线光电子谱仪2021/9/128XPS X射线光电子谱仪射线光电子谱仪vX X射线光电子谱仪射线光电子谱仪X X射线源是用于产生具射线源是用于产生具有一定能量的有一定能量的X X射线的射线的装置，在目前的商品装置，在目前的商品仪器中，一般以仪器中，一般以Al/MgAl/Mg双阳极双阳极X X射线源最为常射线源最为常见。见。2021/9/129XPS X射线光电子谱仪射线光电子谱仪vX X射

7、线光电子谱仪射线光电子谱仪作为作为X X射线光电子谱仪的激发源，希望其射线光电子谱仪的激发源，希望其强度大、单色性好强度大、单色性好。同同步步辐辐射射源源是是十十分分理理想想的的激激发发源源，具具有有良良好好的的单单色色性性，且且可可提提供供10 eV10 keV10 eV10 keV连续可调的偏振光。连续可调的偏振光。在在一一般般的的X X射射线线光光电电子子谱谱仪仪中中，没没有有X X射射线线单单色色器器，只只是是用用一一很很薄薄(12(12 m)m)的的铝铝箔箔窗窗将将样样品品和和激激发发源源分分开开，以以防防止止X X射射线线源源中中的的散散射射电电子子进进入入样样品品室室，同同时时可

8、可滤滤去去相相当当部部分分的的轫轫致致辐辐射射所形成的所形成的X X射线本底。射线本底。2021/9/1210XPS X射线光电子谱仪射线光电子谱仪vX X射线光电子谱仪射线光电子谱仪将将X X射线用石英晶体的射线用石英晶体的(1010)(1010)面沿面沿BraggBragg反射方向衍射后便可反射方向衍射后便可使使X X射线单色化。射线单色化。X X射线的单色性越高，谱仪的能量分辨率射线的单色性越高，谱仪的能量分辨率也越高。也越高。除在一般的分析中人们所经常使用的除在一般的分析中人们所经常使用的Al/MgAl/Mg双阳极双阳极X X射线射线源外，人们为某些特殊的研究目的，还经常选用一些其他源

9、外，人们为某些特殊的研究目的，还经常选用一些其他阳极材料作为激发源。阳极材料作为激发源。半峰高宽是评定某种半峰高宽是评定某种X X射线单色性好坏的一个重要指标射线单色性好坏的一个重要指标。2021/9/1211XPS X射线光电子谱基本原理射线光电子谱基本原理 vX X射线光电子谱基本原理射线光电子谱基本原理X X射射线线光光电电子子能能谱谱的的理理论论依依据据就就是是EinsteinEinstein的的光光电电子子发发射射公公式式，在在实实际际的的X X射射线线光光电电子子谱谱分分析析中中，不不仅仅用用XPSXPS测测定定轨轨道道电电子子结结合合能能，还还经经常常用用量量子子化学方法进行计算

10、，并将二者进行比较。化学方法进行计算，并将二者进行比较。2021/9/1212XPS X射线光电子谱基本原理射线光电子谱基本原理v突然近似突然近似 体体系系受受激激出出射射光光电电子子后后，原原稳稳定定的的电电子子结结构构受受到到破破坏坏，这这时时体体系系处处于于何何种种状状态态、如如何何求求解解状状态态波波函数及本征值遇到了很大的理论处理困难。函数及本征值遇到了很大的理论处理困难。突突然然近近似似认认为为，电电离离后后的的体体系系同同电电离离前前相相比比，除除了了某某一一轨轨道道被被打打出出一一个个电电子子外外，其其余余轨轨道道电电子子的的运运动动状状态态不不发发生生变变化化而而处处于于某某

11、一一种种“冻冻结结状状态态”。2021/9/1213XPS X射线光电子谱基本原理射线光电子谱基本原理v绝热近似绝热近似 实实测测的的XPSXPS谱谱是是同同电电离离体体系系的的终终态态密密切切相相关关的的，KoopmansKoopmans定定理理所所假假设设的的离离子子轨轨道道冻冻结结状状态态是是不不存在的。存在的。绝绝热热近近似似认认为为，电电子子从从内内壳壳层层出出射射，结结果果使使原原来来体体系系的的平平衡衡势势场场破破坏坏，离离子子处处于于激激发发态态。这这时时轨轨道道电电子子结结构构将将作作出出调调整整，电电子子轨轨道道半半径径会会出出现现收收缩或膨涨，这一过程叫缩或膨涨，这一过程

12、叫“电子弛豫电子弛豫”。2021/9/1214XPS X射线光电子谱基本原理射线光电子谱基本原理v结合能参照基准结合能参照基准 在在用用XPSXPS测测定定内内层层电电子子结结合合能能与与理理论论计计算算结结果果进进行比较时，必须有一共同的结合能参照基准。行比较时，必须有一共同的结合能参照基准。对对于于孤孤立立原原子子，轨轨道道结结合合能能的的定定义义为为把把一一个个电电子子从从轨轨道道移移到到核核势势场场以以外外所所需需的的能能量量，即即以以“自自由由电电子子能能级级”为为基基准准的的。在在XPSXPS中中称称这这一一基基准准为为“真空能级真空能级”，它同理论计算的参照基准是一致的。，它同理

13、论计算的参照基准是一致的。2021/9/1215XPS X射线光电子谱基本原理射线光电子谱基本原理v结合能参照基准结合能参照基准 对对于于气气态态XPSXPS，测测定定的的结结合合能能与与计计算算的的结结合合能能是是一一致致，因因此此，可可以以直直接接比比较较对对于于导导电电固固体体样样品品，测测定定的的结结合合能能则则是是以以FermiFermi能能级级为为基基准准的的，因因此此，同同计计算结果对比时，应用公式进行换算。算结果对比时，应用公式进行换算。对于非导电样品，参考能级的确定是比困难的。对于非导电样品，参考能级的确定是比困难的。2021/9/1216XPS X射线光电子谱仪的能量校准射

14、线光电子谱仪的能量校准 vX X射线光电子谱仪的能量校准射线光电子谱仪的能量校准 X X射射线线光光电电子子能能谱谱分分析析的的首首要要任任务务是是谱谱仪仪的的能能量量校校准准。一一台台工工作作正正常常的的X X射射线线光光电电子子谱谱仪仪应应是经过能量校准的。是经过能量校准的。X X射射线线光光电电子子谱谱仪仪的的能能量量校校准准工工作作是是经经常常性性的的，一一般般地地说说，每每工工作作几几个个月月或或半半年年，就就要要重重新新校校准一次。准一次。2021/9/1217XPS X射线光电子谱仪的能量校准射线光电子谱仪的能量校准v荷电效应荷电效应 用用XPSXPS测测定定绝绝缘缘体体或或半半

15、导导体体时时，由由于于光光电电子子的的连连续续发发射射而而得得不不到到足足够够的的电电子子补补充充，使使得得样样品品表表面面出出现现电电子子“亏亏损损”，这这种种现现象象称称为为荷荷电电效效应应。荷荷电电效效应应将将使使样样品品出出现现一一稳稳定定的的表表面面电电势势V VS S，它它对光电子逃离有束缚对光电子逃离有束缚作用。作用。2021/9/1218XPS X射线光电子谱仪的能量校准射线光电子谱仪的能量校准v荷电效应荷电效应 考虑荷电效应有：考虑荷电效应有：其其中中E ES S=V VS S e e为为荷荷电电效效应应引引起起的的能能量量位位移移，使使得得正正常谱线向低动能端偏移常谱线向低

16、动能端偏移，即所测结合能值偏高。，即所测结合能值偏高。荷荷电电效效应应还还会会使使谱谱锋锋展展宽宽、畸畸变变，对对分分析析结结果果产产生一定的影响。生一定的影响。2021/9/1219XPS X射线光电子谱仪的能量校准射线光电子谱仪的能量校准v荷电效应荷电效应 荷电效应的来源主要是样品的导电性能差。荷电效应的来源主要是样品的导电性能差。荷电电势的大小同样品的厚度、荷电电势的大小同样品的厚度、X X射线源的工射线源的工作参数等因素有关。作参数等因素有关。实际工作中必须采取有效的措施解决荷电效应实际工作中必须采取有效的措施解决荷电效应所导致的能量偏差。所导致的能量偏差。2021/9/1220XPS

17、 X射线光电子谱仪的能量校准射线光电子谱仪的能量校准v荷电效应荷电效应-中和法中和法 制备超薄样品；制备超薄样品；测试时用低能电子束中和试样表面的电荷，使测试时用低能电子束中和试样表面的电荷，使E Ec c0.1eV0.1eV，这种方法一方面需要在设备上配置电子中和枪，这种方法一方面需要在设备上配置电子中和枪，另一方面荷电效应的消除要靠使用者的经验。另一方面荷电效应的消除要靠使用者的经验。2021/9/1221XPS X射线光电子谱仪的能量校准射线光电子谱仪的能量校准v荷电效应荷电效应-内标内标法法 在处理荷电效应的过程中，人们经常采用内标在处理荷电效应的过程中，人们经常采用内标法。即在实验条

18、件下，根据试样表面吸附或沉法。即在实验条件下，根据试样表面吸附或沉积元素谱线的结合能，测出表面荷电电势，然积元素谱线的结合能，测出表面荷电电势，然后确定其它元素的结合能。后确定其它元素的结合能。2021/9/1222XPS X射线光电子谱仪的能量校准射线光电子谱仪的能量校准v荷电效应荷电效应-内标内标法法 在在实实际际的的工工作作中中，一一般般选选用用(CH(CH2 2)n n中中的的C1sC1s峰峰，(CH(CH2 2)n n一一般般来来自自样样品品的的制制备备处处理理及及机机械械泵泵油油的的污污染染。也也有有人人将将金金镀镀到到样样品品表表面面一一部部分分，利利用用Au4fAu4f7/27

19、/2谱线修正。谱线修正。这这种种方方法法的的缺缺点点是是对对溅溅射射处处理理后后的的样样品品不不适适用用。另另外外，金金可可能能会会与与某某些些材材料料反反应应，公公布布的的C1sC1s谱线的结合能也有一定的差异。谱线的结合能也有一定的差异。2021/9/1223XPS XPS中的化学位移中的化学位移 v化学位移化学位移由由于于原原子子所所处处的的化化学学环环境境不不同同而而引引起起的的内内层层电电子子结结合合能能的的变变化化，在在谱谱图图上上表表现现为为谱谱峰峰的的位位移移，这这一一现现象称为象称为化学位移化学位移。化化学学环环境境：原原子子的的价价态态，与与所所考考虑虑原原子子相相结结合合

20、的的其其它原子的情况。它原子的情况。2021/9/1224内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能，另一方面又受到外层而具有一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。当外层电子密度减少时，电子的屏蔽作用。当外层电子密度减少时，屏蔽作用将减弱，内层电子的结合能增加；屏蔽作用将减弱，内层电子的结合能增加；反之则结合能将减少。因此当被测原子的氧反之则结合能将减少。因此当被测原子的氧化价态增加，或与电负性大的原子结合时，化价态增加，或与电负性大的原子结合时，都导致其都导致其XPSXPS峰将向结合能的增加方向位移。峰将向结合能的增加方向位移。X

21、PS XPS中的化学位移中的化学位移 2021/9/1225化合物聚对苯二化合物聚对苯二甲酸乙二酯中三甲酸乙二酯中三种完全不同的碳种完全不同的碳原子和两种不同原子和两种不同氧原子氧原子1s1s谱峰的谱峰的化学位移化学位移XPS XPS中的化学位移中的化学位移 2021/9/1226XPS XPS中的化学位移中的化学位移 v化学位移化学位移氧化价态越高，氧化价态越高，结合能越大。结合能越大。2021/9/1227XPS XPS中的化学位移中的化学位移 v化学位移化学位移与所考虑原子相结与所考虑原子相结合的原子，其元素合的原子，其元素电负性越高，结合电负性越高，结合能也越大。能也越大。2021/9

22、/1228XPS XPS中的化学位移中的化学位移 在不同的化台物中、化学位移究竟是多少在不同的化台物中、化学位移究竟是多少?这个问题目前是靠实验解决的。已有大量实这个问题目前是靠实验解决的。已有大量实验数据，收集在验数据，收集在Perkin-ElmerPerkin-Elmer公司的公司的x x射线光射线光电子谱手册中，可供查用。从电子谱手册中，可供查用。从LiLi以上各种元以上各种元素都有这样一张素都有这样一张“化学位移表化学位移表”。v化学位移化学位移2021/9/1229XPS XPS中的化学位移中的化学位移v化学位移化学位移化化学学位位移移的的理理论论分分析析基基础础是是结结合合能能的的

23、计计算算。根根据据前前面面所所讲讲的的计计算算方方法法可可以以知知道道对对于于处处于于环环境境为为1 1和和2 2的某种原子有：的某种原子有：2021/9/1230XPS XPS中的化学位移中的化学位移v化学位移化学位移在在大大多多数数的的情情况况下下，相相对对论论效效应应和和相相关关的的修修正正对对结结合合能能的的影影响响是是较较小小的的，可可以以忽忽略略。对对付付驰驰豫豫效效应的方法是用近似关系式：应的方法是用近似关系式：其中其中E E+为离子体系的为离子体系的SCFSCF能。能。2021/9/1231XPS XPS中的化学位移中的化学位移v化学位移的经验规律化学位移的经验规律 同同一一周

24、周期期内内主主族族元元素素结结合合能能位位移移随随它它们们的的化化合合价价升升高高线线性性增增加加；而而过过渡渡金金属属元元素素的的化化学学位位移移随随化化合合价价的的变变化出现相反规律。化出现相反规律。分分子子MM中中某某原原子子A A的的内内层层电电子子结结合合能能位位移移量量同同与与它它相相结结合的原子电负性之和合的原子电负性之和XX有一定的线性关系。有一定的线性关系。2021/9/1232XPS XPS中的化学位移中的化学位移v化学位移的经验规律化学位移的经验规律对对少少数数系系列列化化合合物物，由由NMR(NMR(核核磁磁共共振振波波谱谱仪仪)和和MossbauerMossbauer

25、谱谱仪仪测测得得的的各各自自的的特特征征位位移移量量同同XPSXPS测得的结合能位移量有一定的线性关系。测得的结合能位移量有一定的线性关系。XPSXPS的的化化学学位位移移同同宏宏观观热热力力学学参参数数之之间间有有一一定定的联系。的联系。2021/9/1233XPS XPS分析方法分析方法v定性分析定性分析-谱线的类型谱线的类型 在在XPSXPS中中可可以以观观察察到到几几种种类类型型的的谱谱线线。其其中中有有些些是是XPSXPS中中所所固固有有的的，是是永永远远可可以以观观察察到到的的；有些则依赖于样品的物理、化学性质。有些则依赖于样品的物理、化学性质。光光电电子子谱谱线线：在在XPSXP

26、S中中，很很多多强强的的光光电电子子谱谱线线一一般般是是对对称称的的，并并且且很很窄窄。但但是是，由由于于与与价价电电子子的的耦耦合合，纯纯金金属属的的XPSXPS谱谱也也可可能能存存在在明明显显的的不对称。不对称。2021/9/1234XPS XPS分析方法分析方法v定性分析定性分析-谱线的类型谱线的类型 谱谱线线峰峰宽宽：谱谱线线的的峰峰宽宽一一般般是是谱谱峰峰的的自自然然线线宽宽、X X射射线线线线宽宽和和谱谱仪仪分分辨辨率率的的卷卷积积。高高结结合合能能端端弱弱峰峰的的线线宽宽一一般般比比低低结结合合能能端端的的谱谱线线宽宽14 14 eVeV。绝绝缘缘体体的的谱谱线线一一般般比导体的

27、谱线宽比导体的谱线宽0.5 eV0.5 eV。2021/9/1235XPS XPS分析方法分析方法v定性分析定性分析-谱线的类型谱线的类型 AugerAuger谱谱线线：在在XPSXPS中中，可可以以观观察察到到KLL,KLL,LMM,LMM,MNNMNN和和NOONOO四个系列的四个系列的AugerAuger线。线。因因为为AugerAuger电电子子的的动动能能是是固固定定的的，而而X X射射线线光光电电子子的的结结合合能能是是固固定定的的，因因此此，可可以以通通过过改改变变激激发发源源(如如Al/MgAl/Mg双双阳阳极极X X射射线线源源)的的方方法法，观观察察峰峰位位的的变变化化与与

28、否否而而识识别别AugarAugar电电子子峰峰和和X X射射线线光光电电子峰。子峰。2021/9/1236XPS XPS分析方法分析方法v定性分析定性分析-谱线的类型谱线的类型 X X射射线线的的伴伴峰峰：X X射射线线一一般般不不是是单单一一的的特特征征X X射射线线，而而是是还还存存在在一一些些能能量量略略高高的的小小伴伴线线，所所以以导导致致XPSXPS中中，除除K K 1,21,2所所激激发发的的主谱外，还有一些小的伴峰。主谱外，还有一些小的伴峰。2021/9/1237XPS XPS分析方法分析方法v定性分析定性分析-谱线的类型谱线的类型 X X射射线线“鬼鬼峰峰”：有有时时，由由于

29、于X X射射源源的的阳阳极极可可能能不不纯纯或或被被污污染染，则则产产生生的的X X射射线线不不纯纯。因因非非阳阳极极材材料料X X射射线所激发出的光电子谱线被称为线所激发出的光电子谱线被称为“鬼峰鬼峰”。Contaminating RadiationAnode MaterialsMgAlO (K)Cu(L)Mg(K)Al(K)728.7323.9-233.0961.7556.9233.0-2021/9/1238XPS XPS分析方法分析方法v定性分析定性分析-谱线的类型谱线的类型 震震激激和和震震离离线线：在在光光发发射射中中，因因内内层层形形成成空空位位，原原子子中中心心电电位位发发生生突

30、突然然变变化化将将引引起起外外壳壳电电子子跃跃迁迁，这这时时有有两两种种可可能能：(a)(a)若若外外层层电电子子跃跃迁迁到到更更高高能能级级，则则称称为为电电子子的的震震激激(shake-up)(shake-up)；(b)(b)若若外外层层电电子子跃跃过过到到非非束束缚缚的的连连续续区区而而成成为为自自由由电电子子，则则称称为为电电子子的的震震离离(shake-off)(shake-off)。无无论论是是震震激激还还是是震离均消耗能量，使最初的光电子动能下降。震离均消耗能量，使最初的光电子动能下降。2021/9/1239XPS XPS分析方法分析方法v定性分析定性分析-谱线的类型谱线的类型

31、多多重重分分裂裂 ：当当原原子子的的价价壳壳层层有有未未成成对对的的自自旋旋电电子子时时，光光致致电电离离所所形形成成的的内内层层空空位位将将与与之之发发生生耦耦合合，使使体体系系出出现现不不止止一一个终态，表现在个终态，表现在XPSXPS谱图上即为谱线分裂。谱图上即为谱线分裂。2021/9/1240XPS XPS分析方法分析方法v定性分析定性分析-谱线的类型谱线的类型 能能量量损损失失峰峰 ：对对于于某某些些材材料料，光光电电子子在在离离开开样样品品表表面面的的过过程程中中，可可能能与与表表面面的的其其它它电电子子相相互互作作用用而而损损失失一一定定的的能能量量，而而在在XPSXPS低低动动

32、能能侧侧出出现现一一些伴峰，即能量损失峰。些伴峰，即能量损失峰。当当光光电电子子能能量量在在1001500 1001500 eVeV时时，非非弹弹性性散散射射的的主主要要方方式式是是激激发发固固体体中中自自由由电电子子的的集集体体振振荡荡，产产生等离子激元。生等离子激元。2021/9/1241右图是表面被氧化且右图是表面被氧化且有部分碳污染的金属有部分碳污染的金属铝的典型的图谱铝的典型的图谱是宽能量范围扫描的全谱是宽能量范围扫描的全谱低结合能端的放大谱低结合能端的放大谱O 和和 C 两条谱线的存在两条谱线的存在表明金属铝的表面已被部表明金属铝的表面已被部分氧化并受有机物的污染分氧化并受有机物的

33、污染O的的KLL俄歇谱线俄歇谱线XPS 实例分析实例分析2021/9/1242金属铝低结合能端金属铝低结合能端的放大谱的放大谱(精细结构精细结构)相邻的肩峰则分相邻的肩峰则分别对应于别对应于Al2O3中中铝的铝的2s和和2p轨道轨道的电子的电子2021/9/1243XPS XPS分析方法分析方法v定量分析定量分析XPSXPS中中一一般般以以谱谱峰峰面面积积计计算算，不不计计入入背背散散射射效应。效应。XPSXPS分分析析中中，定定量量分分析析的的方方法法与与AESAES的的定定量量方方法法基基本本相相似似，如如标标样样法法，校校正正曲曲线线法法等等，大大同小异。同小异。2021/9/1244X

34、PS XPS分析方法分析方法v小面积小面积XPSXPS分析分析 小小面面积积XPSXPS是是近近几几年年出出现现的的一一种种新新型型技技术术。由由于于X X射射线线源源产产生生的的X X射射线线的的线线度度小小至至0.01mm0.01mm左左右右，使使XPSXPS的的空空间间分分辨辨能能力力大大大大增增加加，使使得得XPSXPS也可以成像，并有利于深度剖面分析。也可以成像，并有利于深度剖面分析。2021/9/1245XPS XPS分析总结分析总结v基本原理：基本原理：光电效应光电效应v基本组成：基本组成：真空室、真空室、X X射线源、电子能量分析器射线源、电子能量分析器v主要功能：主要功能：成分分析、化学态分析成分分析、化学态分析v采谱方法：采谱方法：全谱、高分辨率谱全谱、高分辨率谱v分析方法：分析方法：定性分析、定量分析定性分析、定量分析2021/9/1246