[精选]IC工艺技术5-离子注入.pptx

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1、集成电路工艺技术讲座第五讲Ion implantation引言半导体工艺中应用的离子注入是将高能量的杂质离子导入到半导体晶体，以改变半导体，尤其是外表层的电学性质注入一般在50-500kev能量下进行离子注入的优点注入杂质不受材料溶解度，扩散系数，化学结合力的限制，原则上对各种材料都可掺杂可精确控制能量和剂量，从而精确控制掺杂量和深度较小的恒向扩散掺杂均匀性好，电阻率均匀性可达1%纯度高，不受所用化学品纯度影响可在较低温度下掺杂目录射程和分布射程和分布沟道效应损伤和退火离子注入机离子注入的应用离子注入工艺模拟射程入射离子在非晶靶内的射程非晶靶射程，投影射程入射方向RpRLSS理论单个入射离子在

2、单位距离上的能量损失 -dE/dx=NSnE+SeE 其中：SnE原子核阻止本领 SeE电子阻止本领 N 单位体积靶原子平均数R=oRdx1/N oEodE/SnE SeE LSS理论核阻止本领和弹性碰撞M1EoM2M2M1V1V2入射粒子最大转移能量1/2M2v22=4M1M2Eo/M1+M22核阻止本领粗略近似计算核阻止本领Sno=2.8x10-15 Z1Z2/Z1/3 M1/M1+M2ev-cm2 其中 Z 2/3=Z12/3+Z22/3低能时S=Sno Se=0 R=0.7 Z12/3+Z22/31/2/Z1Z2 M1+M2/M1Eo Rp=R/1+M2/3M1 Rp=2/3M1M21

3、/2 Rp/M1+M2LSS理论电子阻止本领电子阻止本领：入射离子和靶原子周围电子云的相互作用。离子和电子碰撞失去能量，电子激发或电离。电子阻止本领与入射离子的速度成正比 SnE=keE1/2 其中 ke值为107eV1/2/cm两种能量损失示意图SnSeE1E2E3E-dE/dx低能区E2常见硅中杂质的能量损失磷砷锑投影射程硼投影射程SiO2中投影射程光刻胶中投影射程入射粒子在非晶靶中浓度分布高斯分布几率Px,E=1/21/2Rpexp-x-Rp2/2 Rp2二个参量,可查表入射粒子剂量为Datm/cm2,浓度分布Nx=D/21/2Rpexp-x-Rp2/2 Rp2高斯分布特点和应用1 x=

4、Rp处NmaxNmax=D/21/2 Rp=0.4 D/Rp2平均投影射程二边对称，离Rp下降快N/Nmax 10-1 10-2 10-3 10-4 10-5 10-6 x-Rp 2Rp 3Rp 3.7Rp 4.3Rp 4.8Rp 5.3Rp3 求结深 假设衬底浓度下降到Nmax相差二个数量级时 xj Rp 3Rp高斯分布特点和应用4 求掩蔽层厚度一般认为穿过掩蔽层到达衬底的离子数降到入射离子总数的0.01%时，该掩蔽层能起阻挡作用,此时应选tmSiO2或胶SiTm=Rp 4Rp双高斯分布N1xN2xRmNxxRmNx=D/21/2 Rp1+Rp2exp-x-Rm2/2 Rp22三个参量Rm，

5、Rp1，Rp2Pearson-IV分布有四个参量 2,1,Rp,RpNy=No expfy fy=1/2b2lnbo+b1xn+b2xn2-b1/b2+2a/4b2bo-b121/2tg-12b2xn+b1/4b2bo-b121/2xn=y-Rp/Rp a=-12+3/Abo=-42-312/A b1=ab2=-22-312-6/A A=102-1212-18硼离子注入分布横向分布-a+ayNy横向分布等浓度线50kev100kev150kevP+P-SiNx,y,z=Nx=D/21/2Rpexp-x-Rp2/2 Rp2 1/2erfcy-a/21/2 Rt 目录射程和分布沟道效应沟道效应损伤

6、和退火离子注入机离子注入的应用离子注入工艺模拟沟道效应 单晶靶中的射程分布沟道效应 单晶靶中的射程分布临界角cA 大于c入射C 小于cB 稍小于cc2Z1Z2e2/Ed1/2 50kev c 2.9-5.2 能量对沟道效应影响1E41E31E51E2计数0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 深度umP32 110 Si12kev40kev100kev剂量对沟道效应影响1E41E31E21E17E14/cm29E13/cm21E13/cm20.4 0.8 1.2 1.6 umP32 110 Si取向对沟道效应影响1E41E31E21E1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 深度 um P3

7、2 110 Si 40kev准直偏2偏8 温度对沟道效应影响室温400C1E41E31E21E10.2 0.4 0.6 0.8 1.0 深度 um计数P32 110 Si 40kev目录射程和分布沟道效应损伤和退火损伤和退火离子注入机离子注入的应用离子注入工艺模拟离子注入损伤过程高能离子与晶格原子核碰撞，能量传递给晶格原子晶格原子离开晶格位置移位原子有足够能量与其他衬底原子碰撞产生额外移位原子在入射离子路径周围产生大量缺陷空位和间隙原子形成衬底损伤区离子注入损伤轻离子B重离子As损伤区Rp畸变团离子注入损伤临界剂量损伤随剂量增加而增加，到达损伤完全形成非晶层，长程有序破坏时的剂量称临界剂量临界

8、剂量 th注入离子质量小th大注入温度高th大注入剂量率高，缺陷产生率高 th小离子注入损伤临界剂量th cm-210141015101610172468101000/TKBPSb损伤的去除退火损伤对电特性影响 *注入杂质不在替代位置载流子浓度低 *晶格缺陷多散设中心多载流子迁移率低，寿命低pn结漏电退火的作用 *高温下原子发生振动，重新定位或发生再结晶固相外延，使晶格损伤恢复 *杂质原子从间隙状态转变为替位状态，成为受主或施主中心电激活退火效应硼退火效应硼，磷，砷比较4 5 6 7 8 9 x100C1e155e151e145e14载流子浓度cm-3B+P+As+B+100kevP+200k

9、evAs+80kev1x1015/cm3退火温度退火温度和剂量的关系退火温度退火30min，有90%掺杂原子被激活的温度1013101410151016剂量cm-2BPTa=30退火温度C6007008009001000500快速热退火RTA退火技术比较传统炉管RTA工艺整批单片炉管热壁冷壁加热率低高温控炉管硅片热预算高低颗粒多少均匀，重复性 高低产率高低目录射程和分布沟道效应损伤和退火离子注入机离子注入机离子注入的应用离子注入工艺模拟离子注入机按能量分 低能 300kev按束流分 弱流 uA 中束流 100uA-1mA 大束流 mANV-6200A350D200kev,1mA108080ke

10、v,10mA10160160kev,10mA离子注入机结构离子注入机结构离子源分析系统加速系统聚焦扫描靶室电源真空冷却控制测量离子源离子种类 能产生多种元素的离子束束流强度 决定生产效率束流品质寿命气体利用效率 束流/耗气量功率利用效率 束流/功耗离子源电子碰撞型离子源气体供给系固体蒸发源离子源离子源Gas放电腔磁铁吸极灯丝注入材料形态选择材料气态固态硼BF3-磷PH3红磷砷AsH3固态砷，As2O3锑Sb2O3质量分析系统带电粒子在磁场中运动受到洛伦兹力F=qVxB粒子作圆周运动，半径为R=mv/qB=2mE1/2/qB质量分析系统加速聚焦系统静电加速管 E=ZV V加速电压聚焦透镜yxVa

11、VaaVx,y=1/2x2-y2扫描系统扫描是为了保证注入均匀性扫描方式 电扫描 样品固定，电子束扫描 机械扫描 束流固定，样品运动 混合扫描 x向电扫描，样品运动扫描系统电扫描偏转DzyvlLdD=VlL/2vd偏转电压V电扫描三角波和锯齿波过扫描扫描频率 快扫描频率x不等于慢扫描频率y的整数倍目录射程和分布沟道效应损伤和退火离子注入机离子注入的应用离子注入的应用离子注入工艺模拟离子注入的应用双极IC 埋层，隔离，基区，高电阻，浅发射区CMOS IC 阱，Vt调节，场区，浅源漏结，LDD结构离子注入的应用SOISIMOXSeparation by Implantation of Oxygen

12、形成 SOI结构 能量150-200kev,剂量12x1018/cm2,Rp 0,10.2um SiO2 厚度0.10.5um SiO2SiSiSOI MOSFETN+N+SiSiO2Poly Si目录射程和分布沟道效应损伤和退火离子注入机离子注入的应用离子注入工艺模拟离子注入工艺模拟离子注入工艺模拟SUPREMTITLE:Boron Implant#Initialize the silicon substrate.Initialize Silicon Phosphorus Resistivity=10 Thick=4 dX=.02 xdX=.05 Spaces=200#Grow oxide

13、for Implant Diffusion Temperature=1000 Time=30 DryO2#Implant the boron Implant Boron Dose=4.2E14 Energy=120TonyPlot -ttitle sbssb03.in:Final Bipolar Active Regionquit离子注入工艺模拟SUPREM离子注入二维工艺模拟ATHENA离子注入二维工艺模拟ATHENA9、静夜四无邻，荒居旧业贫。11月-2311月-23Sunday,November 26,202310、雨中黄叶树，灯下白头人。03:48:1503:48:1503:4811/

14、26/2023 3:48:15 AM11、以我独沈久，愧君相见频。11月-2303:48:1503:48Nov-2326-Nov-2312、故人江海别，几度隔山川。03:48:1503:48:1503:48Sunday,November 26,202313、乍见翻疑梦，相悲各问年。11月-2311月-2303:48:1503:48:15November 26,202314、他乡生白发，旧国见青山。26 十一月 20233:48:15 上午03:48:1511月-2315、比不了得就不比，得不到的就不要。十一月 233:48 上午11月-2303:48November 26,202316、行动出

15、成果，工作出财富。2023/11/26 3:48:1503:48:1526 November 202317、做前，能够环视四周；做时，你只能或者最好沿着以脚为起点的射线向前。3:48:15 上午3:48 上午03:48:1511月-239、没有失败，只有暂时停止成功！。11月-2311月-23Sunday,November 26,202310、很多事情努力了未必有结果，但是不努力却什么改变也没有。03:48:1503:48:1503:4811/26/2023 3:48:15 AM11、成功就是日复一日那一点点小小努力的积累。11月-2303:48:1503:48Nov-2326-Nov-231

16、2、世间成事，不求其绝对圆满，留一份缺乏，可得无限完美。03:48:1503:48:1503:48Sunday,November 26,202313、不知香积寺，数里入云峰。11月-2311月-2303:48:1503:48:15November 26,202314、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。26 十一月 20233:48:15 上午03:48:1511月-2315、楚塞三湘接，荆门九派通。十一月 233:48 上午11月-2303:48November 26,202316、少年十五二十时，步行夺得胡马骑。2023/11/26 3:48:1503:48:1526 Nove

17、mber 202317、空山新雨后，天气晚来秋。3:48:15 上午3:48 上午03:48:1511月-239、杨柳散和风，青山澹吾虑。11月-2311月-23Sunday,November 26,202310、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。03:48:1503:48:1503:4811/26/2023 3:48:15 AM11、越是没有本领的就越加自命非凡。11月-2303:48:1503:48Nov-2326-Nov-2312、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。03:48:1503:48:1503:48Sunday,November 26,202313、知人者智，自知者明。胜人

18、者有力，自胜者强。11月-2311月-2303:48:1503:48:15November 26,202314、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。26 十一月 20233:48:15 上午03:48:1511月-2315、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。十一月 233:48 上午11月-2303:48November 26,202316、业余生活要有意义，不要越轨。2023/11/26 3:48:1503:48:1526 November 202317、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。3:48:15 上午3:48 上午03:48:1511月-23MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet,consectetur adipiscing elit.Fusce id urna blandit,eleifend nulla ac,fringilla purus.Nulla iaculis tempor felis ut cursus.感感 谢谢 您您 的的 下下 载载 观观 看看专家告诉