(1.7.1)--7.1.1 FET电流源电路低频电子线路.ppt

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1、模拟集成电路模拟集成电路模拟集成电路中的直流偏置技术模拟集成电路中的直流偏置技术差分式放大电路差分式放大电路0102目 录CONTENTS模拟集成电路中的模拟集成电路中的直流偏置技术直流偏置技术FET电流源电路电流源电路BJT电流源电路电流源电路0102目 录CONTENTSFET电流源电路电流源电路01MOSFET镜像电流源镜像电流源T1、T2的参数全同的参数全同 只要满足只要满足 VGS VTN 必有必有 VDS1 VGS-VTN T1一定工作在饱和区一定工作在饱和区又因为又因为 VGS2=VGS1=VGST2漏极接负载构成回路后，漏极接负载构成回路后，只要满足只要满足VDS2 VGS-V

2、TN，就一定工作在饱和区，且有就一定工作在饱和区，且有FET电流源电路电流源电路01MOSFET镜像电流源镜像电流源再根据再根据便可求出电流值便可求出电流值IO的电流值与的电流值与Rd无关无关nRd的的值值在在一一定定范范围围内内变变化化时时（VDS2 VGS-VTN），IO的的电电流流值值将将保保持持不不变变，反映出反映出IO的的恒流特性恒流特性。FET电流源电路电流源电路01MOSFET镜像电流源镜像电流源当器件具有不同的宽长比时当器件具有不同的宽长比时（=0=0）动态电阻动态电阻(交流电阻交流电阻)电电流流源源是是双双口口网网络络还还是是单单口口网网络络？FET电流源电路电流源电路01M

3、OSFET镜像电流源镜像电流源用用T3代替代替R，T1T3特性相同特性相同T1T3便可工作在饱和区便可工作在饱和区由于由于所以所以只要满足只要满足输出电流为输出电流为 FET电流源电路电流源电路02串级镜像电流源串级镜像电流源动态电阻更大，恒流特性更好动态电阻更大，恒流特性更好需要注意，需要注意，T4漏极接负载漏极接负载构成回路后，需要满足构成回路后，需要满足FET电流源电路电流源电路03组合电流源组合电流源除宽长比外，除宽长比外，T0T3特性相特性相同，同，T4、T5特性相同特性相同需保证所有管子工作在饱和区需保证所有管子工作在饱和区FET电流源电路电流源电路04JFET电流源电流源JFET是耗尽是耗尽型管，所以型管，所以VGS=0时工时工作在饱和区作在饱和区n耗尽型耗尽型MOS管也可采用类似的方式构成电流源管也可采用类似的方式构成电流源感谢观看感谢观看