(4.7)--电力晶体管电力电子技术.ppt

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1、12.4.2电力晶体管电力晶体管电力晶体管（Giant TransistorGTR，直译为巨型晶体管）。耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction TransistorBJT），英文有时候也称为Power BJT。DATASHEET 1 2应用应用20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。术语用法术语用法：2与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。2.4.2电力晶体管电力晶体管1）GTR

2、的结构和工作原理的结构和工作原理图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a)内部结构断面示意图 b)电气图形符号 c)内部载流子的流动32.4.2电力晶体管电力晶体管在应用中，GTR一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为（1-9）GTR的电流放大系数电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力。当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic=ib+Iceo （1-10）单管GTR的 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。空穴流电子流c)EbEcibic=ibie=(1+)ib1）GTR的结构和

3、工作原理的结构和工作原理42.4.2电力晶体管电力晶体管(1)静态特性静态特性共发射极接法时的典型输出特性：截截止止区区、放放大大区区和饱和区饱和区。在电力电子电路中GTR工作在开关状态。在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。截止区放大区饱和区OIcib3ib2ib1ib1ib2 BUcex BUces BUcer Buceo。实际使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。3）GTR的主要参数的主要参数72.4.2电力晶体管电力晶体管通常规定为hFE下降到规定值的1/21/3时所对应的Ic。实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。3)集电极最大耗散功率集电极最

4、大耗散功率PcM最高工作温度下允许的耗散功率。产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度。2)集电极最大允许电流集电极最大允许电流IcM82.4.2电力晶体管电力晶体管一次击穿一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大。只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。二次击穿二次击穿：一次击穿发生时，Ic突然急剧上升，电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变。安安 全全 工工 作作 区区（SafeOperatingAreaSOA）最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。SOAOIcIcMPSBPcMUceUceM图1-18 GTR的安全工作区4)GTR的二次击穿现象与安全工作区的二次击穿现象与安全工作区