(1.2.3)--1.1.3 半导体二极管及其伏安特性电子技术基础.ppt

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1、电子技术基础1.1.3 半导体二极管及其伏安特性半导体二极管的基本结构2 二极管=PN结+管壳+引线NP结构符号阳极+阴极-半导体二极管的分类点接触型平面型面接触型点接触型二极管4 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路面接触型二极管5PN结面积大，用于工频大电流整流电路。平面型二极管6 用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。常见二极管7 小功率二极管 大功率二极管稳压二极管发光二极管二极管的伏安特性：正向 硅：0.5 V 锗：0.1 V(1)正向特性导通压降反向饱和电流死区电压击穿电压UBRuEiVmA锗 硅：0.7 V 锗：0.2Viu0半导体二

2、极管的伏安特性：反向 硅：0.5 V 锗：0.1 V导通压降反向饱和电流(2)反向特性死区电压击穿电压UBRuEiVuA锗 硅：0.7 V 锗：0.2Viu0半导体二极管的伏安特性：击穿 硅：0.5 V 锗：0.1 V导通压降反向饱和电流死区电压击穿电压UBR锗 硅：0.7 V 锗：0.2V热击穿烧坏PN结电击穿可逆(3)反向击穿特性半导体二极管的主要参数11最大整流电流IF二极管长期连续工作时，允许通流过二极管的最大正向平均电流。反向击穿电压VBR二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。最大反向工作电压VRM为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。半导体二极管的主要参数12反向电流IR 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。正向压降VF在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.60.8V；锗二极管约0.10.3V。最高工作频率fM由结电容决定，结电容越大，该频率越低