(32)--3-3-1光电子技术基础.ppt

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电光相位延迟及半波电压本节内容无外加电场时外加电场Ez 时xyxy晶体外加电场E x3，向传输光入射到 平面入射线偏振光：1.纵向应用：外加电场方向与通光方向一致输出KDPyxx-yz(z)V处入射光分解为方向偏振的两个传播模，分别在晶体中传播。在 、轴向的分量为 沿 向传播距离L 后，两偏振光之间的相位差快轴慢轴的折射率差相速度差相位延迟电光相位延迟正比于外加电压，与晶片长度无关。u当时，光场为沿x方向偏振的线性偏振光。u当时，光场为圆偏振光。u当时，光场为沿y 方向偏振的线性偏振光，相对入射光旋转了 ，对应的电压为：半波电压电光系数越大，半波电压越低，调制效率高讨论：晶体外加电场沿z向加电场，光束传播方向垂直于z轴并与y（或x）轴成 ，这种运用方式一般采用 z切割2.横向应用：外加电场方向与通光方向垂直。设光波垂直于 平面入射，E 矢量与z 轴成 角，进入晶体后即分解为沿 和 z 方向的两个垂直偏振分量。相应的折射率分别为 2.横向应用2.横向应用 在 、z 轴向的分量为 穿过晶体L 后,两偏振分量的相位延迟分别为:2.横向应用自然双折射电光相位延迟 V=Ed自然双折射造成的相位差易受温度影响，需采用温度补偿方法。略去自然双折射的影响,半波电压为2.横向应用(d/L)越小，半波电压 就越小，这是横向运用的优点。