(3)--1.3晶体三极管基本知识.ppt

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1、晶体三极管基本知识晶体管及其特性晶体管及其特性认识晶体管认识晶体管 一、晶体管的结构和符号小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管认识晶体管n 半导体三极管也称双极型晶体管，简称晶体半导体三极管也称双极型晶体管，简称晶体管或三极管。是由管或三极管。是由2个个PN结构成的。按结构可分为：结构成的。按结构可分为：NPN型和型和PNP型。结构示意图如下：型。结构示意图如下：集电极集电极，用用C或或c表示表示集电区集电区，掺杂浓度掺杂浓度低低基极基极，用用B或或b表示表示基区基区，薄，薄发射极发射极，用用E或或e表示表示发射区发射区，掺杂浓度高掺杂浓度高发射结发射结(Je)集电结集电结(Jc)

2、，面面积比发射结大积比发射结大晶体管结构晶体管结构(a)NPN结构示意图(b)NPN电路符号(c)PNP结构示意图(d)PNP电路符号晶体管结构晶体管的三种组态（以晶体管的三种组态（以NPN管为例）管为例）晶体管是如何工作的？晶体管是如何工作的？思 考晶体三极管基本知识晶体管及其特性晶体管及其特性放大状态下晶体管内部载流子的传输过程放大状态下晶体管内部载流子的传输过程（1）内部结构）内部结构 基区：很薄且掺杂浓度最低基区：很薄且掺杂浓度最低 发射区：掺杂浓度很高，与基区接触面积较小发射区：掺杂浓度很高，与基区接触面积较小 集电区：掺杂浓度较高，与基区接触面积较大集电区：掺杂浓度较高，与基区接触

3、面积较大发射极与集电极 不能互换（2）外部（放大）条件）外部（放大）条件发射结：正偏状态发射结：正偏状态集电结：反偏状态集电结：反偏状态晶体管内部载流子的传输过程becRcRbI EIB1.发发射射区区向向基基区区的的扩扩散散运运动动：发发射射区区的的电电子子扩扩散散到到基基区区，基基区区的的空空穴穴扩扩散散到到发发射射区区形形成成发发射射极极电电流流 IE(基基区区多多子子数数目目较少，空穴电流可忽略较少，空穴电流可忽略)。IE=IEn+IEpRcRb2.电电子子在在基基区区复复合合和和扩扩散散：电电子子到到达达基基区区，少少数数与与空空穴穴复复合合形形成成基基极极电电流流 Ibn，复复合合

4、掉掉的的空空穴穴由由 VBB 补补充充。多多数数电电子子在在基基区区继继续续扩散，到达集电结的一侧。扩散，到达集电结的一侧。becRcRbI EIBRcRbbecI EI BRcRb3.集电区对发射区扩散电子的收集集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 Icn。其能量来自外接电源 VCC。I C另另外外，集集电电区区和和基基区区的的少少子子在在外外电电场场的的作作用用下下将将进进行行漂漂移移运运动动而形成而形成反向反向饱和电流饱和电流，用用I ICBOCBO表示表示。ICBORbRc晶体三极管基本知识 晶体管及其特性晶体管及其特性_晶体管的电流分配关系晶体管的电流分配关系beceRcRbIEpICBOIEICIBIEnIBnICn晶体管的电流分配关系（1）共基直流电流放大系数）共基直流电流放大系数可见，在共基电路中，改变输入电流 可以控制输出电流晶体管的电流分配关系（2）共射直流电流放大系数）共射直流电流放大系数称为穿透电流穿透电流谢谢！