(1.19)--1.5.2 N沟道增强型MOSFET的工作原理.ppt

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1、电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuanN沟道增强型MOSFET的工作原理电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuanN沟道增强型MOSFET的工作原理栅源电压UGS对沟道产生影响漏源电压UDS对沟道产生影响电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan 先令漏源电压UDS=0，加入栅源电压UGS以后并不断增加。UGS带给栅极正电荷，将正对SiO2层的表面下的衬底中的空穴推走，形成一层负离子层，即耗尽层，用绿色的区域表示。同时在栅极下的表层感生电子，当电子数量较多时，在漏源之间可形成导电沟道。沟道中的电子和P型衬底的多子导电性质相反，称为反型层

2、。此时若加上UDS，就会有漏极电流ID产生。反型层电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan 显然改变UGS就会改变沟道，从而影响ID，这说明UGS对ID具有控制作用。当UGS较小时，不能形成有效的沟道，尽管加有UDS，也不能形成ID。当增加UGS，使ID刚刚出现时，对应的UGS称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。反型层电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan 设UGSUGS(th)，增加UDS，沟道将发生变化。显然漏源电压会对沟道产生影响，因为源极和衬底相连接，所以加入UDS后，UDS将沿漏到源逐渐降落在沟道内，漏极和衬底之间反偏最大，PN结的宽度

3、最大。所以加入UDS后，在漏源之间会形成一个倾斜的PN结区，从而影响沟道的导电性。当UDS进一步增加，ID不断增加，同时，漏端的耗尽层上移，在漏端出现夹断，称为预夹断。预夹断 当UDS进一步增加时，漏端的耗尽层向源极伸展，此时ID基本不再增加，增加的UDS基本上降落在预夹断区。此时ID只受UGS控制，进入线性放大区。2漏源电压UDS的控制作用电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan N沟道增强型MOSFET的符号电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan足够大的栅源电压UGS(开启电压)导电沟道漏极电流ID。足够大的漏源电压导电沟道被预夹断ID仅由UGS控制，即线性放大。MOSFET的输入阻抗非常大，应避免静电导致器件损坏。要点010203电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan休息一会