(1.17)--1.4.5 晶体三极管的分析方法.ppt
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1、电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan1晶体三极管的分析方法电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan 输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区截止区放大区放大区iC平行于UCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，uCE电压大于uBE。此区域内，iC只与iB有关，满足iC=iB，称为线性区（放大区）。电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan 输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区截止区放大区饱和区iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE的数值较小，一般uCE uBE，iBiC。此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小
2、。电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan截止区iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。iB=0,iC=ICEO,uBEVBVE,PNP型 有VCVBVE。可见基极电位总是居中，据此可确定基极。电工电子学教学中心电工电子学教学中心UPC-zhoulanjuan2硅管|VBE|=0.60.8V，锗管|VBE|=0.20.4V，则与基极电位相差此值的电极为发射极，并可判断是硅管还是锗管。3余下一电极为集电极。4集电极电位为最高的是NPN型管，集电极电位为最低的是PNP型管。分析方法电工电子学教学中心电工电子学教学中心UPC-zhoulanjuan休息一会
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