模拟电子技术基础 (18).pdf

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1、MOS管的高频小信号模型Cgs栅-源电容Cgd栅-漏电容Csb源-衬底电容Cdb漏-衬底电容多数情况下，MOS管的源极和衬底连在一起，此时Csb被短路，而Cdb变为Cds。信号频率处于高频区时，FET极间电容的阻抗将减小，不能再视为开路，需考虑它们带来的影响 s g d B 衬底引线衬底引线 N N VGG 耗尽层耗尽层 P VDD g Cgd Id d Vgs Cgs gmVgs rds Cds Vds s.其中Cgs的典型值为0.10.5pF，Cgd的典型值为0.010.04 pFCds通常小于1pF，rds为(104106)。一般可从数据手册上获得这些参数。Cgs栅-源电容Cgd栅-漏电

2、容Cds漏-源电容衬底与源极并接时的高频小信号模型（也称为模型）MOS管的高频小信号模型低频小信号等效电路 Rs Vi.Rg gm Vgs.s g d Rd Vgs.Vo.RL Cb2 Cb1 Id.Rsi Vs.Cs g Cgd Io d Vs Cgs gmVgs rds Cds Vo s.Rsi Rg R L Vgs.高频小信号等效电路+VDD Cb2 iD T B Rd d Rg1 g Rg2 s Cb1 Rs VSS Rsi vs Cs RL vo 共源极放大电路扩展放大电路通频带的方法扩展通频带是指降低fL和提高fH。采用直接耦合的方式可将fL降至零；而提高上限频率通常有三种方法：将不同组态的放大电路级联组合:共源共基组合电路:可以减小前级密勒电容CM1=(1+gmRL)Cgd（或CM1=(1+gmRL)Cbc）中RL的值，CRfsiH21=共集 共射组合电路：可以减小后级中等效信号源内阻Rsi的值，从而提高 fH外接补偿元件、采用负反馈从而减小CM1，提高上限频率，损失的增益由后级补偿。