模拟电子技术模拟电子技术 (44).pdf

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1、场效应管的主要参数与低频小信号模型场效应管的主要参数与低频小信号模型 FET的主要参数的主要参数 FET的低频小信号模型的低频小信号模型 4 4种种MOSFET的符号与特性曲线的比较的符号与特性曲线的比较 一、一、FETFET的主要参数的主要参数 （1 1）夹断电压）夹断电压 UGS(off)(耗尽型耗尽型)是是耗尽型耗尽型MOS管与结型管的参数。管与结型管的参数。UGS(th)UGS(off)uGS/V iD/mA O S G D uDS+-uGS+-iD iS(适用于所有场效应管适用于所有场效应管)1.1.直流参数直流参数 （2 2）开启电压）开启电压 UGS(th)(增强型增强型)是增强

2、型是增强型MOS管的参数。管的参数。当当|uGS|107 MOSFET：RGS=109 1015 uGS/V iD/mA O 2.交流参数（1 1）低频跨导）低频跨导 gm 常数常数 DSGSDmUuig反映了反映了uGS 对对 iD 的控制能力，的控制能力，单位单位 S(西门子西门子)。一般为几毫西。一般为几毫西(mS)Q（2 2）极间电容）极间电容 Cgs，Cgd，Cds S G D uDS+-uGS+-iD iS RD VDD S G D uDS+-uGS+-iD iS RD VDD PDM=uDS iD，受温度限制。，受温度限制。3.极限参数（1 1）最大漏极电流）最大漏极电流 IDM

3、（2 2）最大漏极功耗）最大漏极功耗 PDM（3 3）栅源击穿电压）栅源击穿电压 UBR(GS)（4 4）漏源击穿电压）漏源击穿电压 UBR(DS)iD IDM U(BR)DS uDS PDM O 过流区 过损区 过压区 G D S iD+uDS+uGS),(DSGSDuufi 设设DSDSDGSGSDDGSDS|duuiduuidiuu 则则dsDSDmGSD1|,|GSDSruiguiuu 令令dsdsgsmd1UrUgI 则则gm 跨导，跨导，rds 输出电阻。输出电阻。通常通常 rgs ，rds RL，故可以忽略（认为断开）。，故可以忽略（认为断开）。rds 二、二、FETFET的低频

4、小信号模型及其简化的低频小信号模型及其简化 rgs id S gmugs+uds G D+ugs uGS/V iD/mA IDSS UGS(off)O（1 1）对）对JFET及耗尽型及耗尽型MOS管，根据管，根据 2GS(off)GSDSSD)1(UuIiDQDSSGS(off)GS(off)GS(off)GSDSSm21)1(2IIUUUuIdudigGSDgm的求取的求取：【问题引导】【问题引导】对于对于JFET 及及耗尽型耗尽型MOS管，如何求管，如何求 gm=?（2 2）对于增强型）对于增强型MOS管，根据管，根据 2GS(th)GSDOD)1(UuIiDQDOGS(th)GS(th)GS(th)GSDOm21)1(2IIUUUuIdudigGSDuGS/V iD/mA UGS(th)O【问题引导】【问题引导】对于增强型对于增强型MOS管，如何求管，如何求 gm=?gm的求取的求取：