模拟电子技术基础 (44).pdf

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1、FET和和BJT重要特性的比较重要特性的比较FET和和BJT内部都含有两个内部都含有两个PN结结，外部都有外部都有3个电极个电极。它们有如它们有如下的对应关系下的对应关系：FET BJT栅极栅极g 基极基极b源极源极s 发射极发射极e漏极漏极d 集电极集电极c工作原理不相同工作原理不相同，但它们都可利用两个电极之间的电压控制流过第三个但它们都可利用两个电极之间的电压控制流过第三个电极的电流来实现输入对输出的控制电极的电流来实现输入对输出的控制。MOS管管：vGS控制控制 iDBJT：vBE控制控制 iCMOS：iD与与vGS之间是平方律关系之间是平方律关系：BJT：iC与与vBE之间是指数关系

2、之间是指数关系：指数关系更敏感指数关系更敏感，故通常故通常BJT管的跨导要大于管的跨导要大于MOS管的跨导管的跨导。BJT称为电流控制器件称为电流控制器件，MOS管称为电压控制器件管称为电压控制器件。2TNGSnD)(VKi=vbcii=)1e(/SBBE=TVvIiFET和和BJT重要特性的比较重要特性的比较FET和和BJT放大电路性能的比较放大电路性能的比较组态对应关系：组态对应关系：CEBJTFETCSCCCDCBCG电压增益：电压增益：BJTFETbeLc)|(rRR)|)(1()|()1(LebeLeRRrRR+beLc)|(rRR CE：CC：CB：)|(LddsmRRrg)|(1

3、)|(LdsmLdsmRRrgRRrg+dsLdLddsm|1)|)(1(rRRRRrg+CS：CD：CG：输出电阻：输出电阻：BJTFET输入电阻：输入电阻：)1(|eRrR+beb)|)(1(|LebebRRrR+rR+1|beeCE：CC：CB：CS：CD：CG：很高很高m1|gR很高很高rRRR+1)|(|bebsecRcRCE：CC：CB：CS：CD：CG：dds|Rrmds1|gRrdds|RrFET和和BJT放大电路性能的比较放大电路性能的比较 VCC 20V Rc 20k Rb1 47k Cb2 vo 10 F T2 47 F CB Rb2 47k T1 Rs 4.7k C 4

4、7 F Cb1 0.47 F Rsi 5k vi Rg 5.1M vs RL 20k Rsi vi Rg g d e c b ib rbe RL s vgs gm1vgs ib vs vo 微变等效电路微变等效电路原理电路图原理电路图交流通路交流通路LcL|RRR=RsivsRgRcRLvivogscdbT2T1e VCC 20V Rc 20k Rb1 47k Cb2 vo 10 F T2 47 F CB Rb2 47k T1 Rs 4.7k C 47 F Cb1 0.47 F Rsi 5k vi Rg 5.1M vs RL 20k Rsi vi Rg g d e c b ib rbe RL s vgs gm1vgs ib vs vo bbbgsm1iiig+=vobLm1gsLi RgR=vvgsivv=LcL|RRR=2211ioiovvvvvA=m1gsgsm1gsbioLLLvRgRgRiA=vvvvv