模拟电子技术模拟电子技术 (29).pdf

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1、常用半导体器件导学常用半导体器件导学 引言引言 主要内容主要内容 包含半导包含半导 体元件体元件 电子电路电子电路 双极型半导体双极型半导体三极管三极管(BJT)半导体二极管半导体二极管 场效应管场效应管FET 半导体基础半导体基础 常用半导常用半导体器件体器件 半导体基础半导体基础 半导体半导体 PN结结 本征半导体本征半导体 两种载流子两种载流子 杂质半导体杂质半导体 P型型 N型型 自由电子自由电子 空穴空穴 单向导电性单向导电性 形成形成 电容效应电容效应 多子扩散多子扩散 少子漂移少子漂移 P(+)、N(-):PN结导通结导通 N(+)、P(-):PN结截止结截止 扩散电容扩散电容

2、势垒电容势垒电容 半导体半导体二极管二极管 结构结构 (实实质就是质就是PN结结 )分类分类 面接触型面接触型 点接触型点接触型 平面型平面型 图形符号图形符号 伏安特性伏安特性 及其分区及其分区 O uD/V iD/mA 正向正向特性特性 反向反向 特性特性 IS 温度的影响温度的影响 分区分区 等效电阻等效电阻 反向截止区反向截止区IS 死区死区Uth 反向击穿区反向击穿区U（BR）正向导通区正向导通区UD 静态电阻静态电阻 等效电阻等效电阻 主要参数主要参数 反向电流反向电流IR 最大整流电流最大整流电流IF 最高工作频率最高工作频率fM 反向击穿电压反向击穿电压U(BR)稳压二极管稳压

3、二极管 伏安特性伏安特性 结构与电路符号结构与电路符号 主要参数主要参数 典型应用举例典型应用举例 开关电路开关电路 整流与检波整流与检波 限幅限幅 等效模型等效模型 恒压降模型恒压降模型 理想模型理想模型 折线模型折线模型 结电流方程结电流方程 DT/S(e1)uUiI双极型半导体双极型半导体三极管三极管(BJT)简化简化h h参数模型参数模型 三极管分析举例三极管分析举例 判工作状态判工作状态 判工作区判工作区 电位分析法电位分析法 电流分析法电流分析法 伏安特性伏安特性 输入特性输入特性 输出特性输出特性 BEuBiO 0CE uV 1CE u放大区：发射结放大区：发射结 正偏、集电结反

4、偏正偏、集电结反偏 截止区：发射结截止区：发射结 与集电结均反偏与集电结均反偏 饱和区：发射结饱和区：发射结 与集电结均正偏与集电结均正偏 主要参数主要参数 直流参数直流参数 交流参数交流参数 极限参数极限参数 集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗 集电极最大允许电流集电极最大允许电流 极间反向击穿电压极间反向击穿电压 放大系数放大系数 特征频率特征频率 放大系数放大系数 极间饱和电流极间饱和电流 放大原理放大原理 偏置条件偏置条件 电流分配关系电流分配关系 发射结正偏，发射结正偏，集电结反偏集电结反偏 BCEIII BC II NPN PNP 类型与符号类型与符号 E C B E B C 场

5、效应管场效应管FET 简化简化h h参数模型参数模型 输出特性输出特性 及其分区及其分区 可变电阻区可变电阻区 夹断区夹断区 击穿区击穿区 放大区放大区 转移特性转移特性 工作原理与伏安特性工作原理与伏安特性 主要参数主要参数 直流参数直流参数 交流参数交流参数 极限参数极限参数 最大耗散功率最大耗散功率 最大漏极电流最大漏极电流 栅源击穿电压栅源击穿电压 低频跨导低频跨导 极间电容极间电容 漏极饱和电流漏极饱和电流 夹断电压夹断电压 直流输入电阻直流输入电阻 开启电压开启电压 类型与符号类型与符号 JFET IGFEF(MOSFET)N沟道沟道 P沟道沟道 增强型增强型PMOS 增强型增强型NMOS 耗尽型耗尽型PMOS 耗尽型耗尽型NMOS