模拟电子技术基础 (6).pdf
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室温下，硅材料内的电子迁移率为空穴迁移率的室温下，硅材料内的电子迁移率为空穴迁移率的3倍。倍。在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成分别形成N N型半导体和型半导体和P P型半导体。型半导体。由于缺少多子，所以也称由于缺少多子，所以也称耗尽层耗尽层在在P P型半导体和型半导体和N N型半导体结合面，离子薄层形成的型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区空间电荷区称为称为PNPN结结。在在N N型半导体和型半导体和P P型半导体的结合面上型半导体的结合面上:因浓度差因浓度差形成内电场形成内电场促使少子漂移促使少子漂移阻止多子扩散阻止多子扩散最后最后,多子的多子的扩散扩散和少子的和少子的漂移漂移达到达到动态平衡动态平衡。多子的扩散运动多子的扩散运动 形成空间电荷区形成空间电荷区
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