半导体矿物纳米粒子的光催化作用及抗菌机理分析.docx
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1、半导体矿物纳米粒子的光催化作用及抗菌机理分析摘要:纳米半导体光催化技术是光化学领域和环保领域中的争论热点之一。本文综述了纳米半导体光催化反响机理、 反响动力学、影响纳米半导体光催化降解的因素、目前纳米半导体光催化技术在实际环境中抗菌、除污等方面的应用前景及进展方向作出展望。关键词: 纳米半导体;光催化技术;抗菌;应用,并对其Min eral of Nano meter Semic on ductor Photocatalysis Mecha nism and En ergy Prices of An tibacterial EffectAbstractNano meter Semic on d
2、uctor photocatalysis has become one of the popular research subjects in the field of photochemistry and environmental protect ion. The paper deals with the mecha ni sm,the kin etics,the factors of Nano meter Semic on ductorphotocatalysis which affectsefficiency ,and the application in actual environ
3、mental fielddegradati on,such asan tibacterial、 dec on tam in atio n and so on . The future of its developme ntabout photocatalysis is also described.Key words :Applicati on刖言Nano meter Semic on ductor ; photocatalysis ; An tibacterial;半导体光催化始于 20 世纪 60 年月,直到 1972 年 Fujishima 和 Honda 在,Nature 杂志上发表关
4、于在 TiO 电极上进展光催化裂解水的论文 才使得半导体光 催化?技术进入一个时期。到了80 年月,随着环境保护运动的不断深入,使人们最终生疏到了半导体光催化技术在消退环境污染方面的宽阔应用前景。目前,已争论的光催化剂有 TiO ,ZnO,CdS,WOFe2Q,PbS,SnQIn 2Q 及 ZnS 等十几种,这些 半2导体材料都有肯定的光催化降解活性。 作为 21 世纪最有前途的兴纳米材料, 其粒子尺寸在 1100 nm 之间,并具有体积效应、外表与界面效应、量子尺寸效 应和宏观量子隧道效应等大块材料没有的性质。将纳米材料引入光催化领域,更促进了该领域的进展o1. 自然半导体矿物的分布及光催化
5、性能1.1 分布需要特别指出的是,由于自然矿物形成条件的简单性和不确定性,本征半导 体矿物即抱负结晶条件下形成的“纯洁完整”的半导体晶体的数量极少,绝大多数自然半导体矿物是由结晶过程中混入杂质元素或结晶条件不稳定而形成晶 体构造缺陷瑕疵所致,形成的半导体也称杂质半导体。1.2 自然半导体矿物光催化性能争论现状21.2.1 自然金红石矿物2金红石是自然界较常见的矿物,属四方晶系,硬度 6. 06. 5,密度 4. 24. 3 g/cm3。化学成分为 TiO ,常含有 Fe2+,Fe3+,Nb5+,Ta5+, Sn 4+等,有时含 +或 V5+o TiO2存在 3 种晶型,分别为板钛矿、锐钛矿和金
6、红石。通过粉碎、淬火等改性手 段可以进一步提高金红石矿物的光催化活性。用其处理亚甲基蓝、卤代烃、藏红T 等染料废水说明,此自然金红石矿物在可见光下具有较好的光催化性能。1.2.2 自然铁氢氧化物铁氢氧化物,如针铁矿a -FeOOH赤铁矿a -Fe2Q及无定形铁氢氧化物是土壤、沉积物和水体中广泛存在的矿物,通常为纳米级大小,具有较大的比外表积和较强的吸附力量。承受自然生物矿化的纳米针铁矿/过氧化氢处理偶氮染料甲基橙说明,针铁矿具有降解生物难降解的有机污染物的力量。在甲基橙溶液初 始质量浓度为 30mg/L、铁细菌矿化的针铁矿用量 2. 5 g/L、反响体系 H2Q 的初 始浓度97mmol/L、
7、pH 为 6. 92 条件下,15W 紫外灯照耀 2 h 后,甲基橙质量浓度 可降低 33%1.2.3 自然闪锌矿闪锌矿(ZnS)是宽禁带(3. 66 eV ) II -切族半导体, 由于具有红外透亮、荧光、 磷光等特性,始终受到广泛争论。闪锌矿光谱响应范围较窄,需在紫外光条件下才 可能激发,通过金属离子掺杂改性等手段可以提高其光催化活性。 L. Claudia 等承受 ZnS 纳米颗粒光催化降解对硝基苯酚染料(p-NP),结果说明,ZnS 对 p-NP 的 光催化降解半衰期为 1.95 2. 45 min,然而同样条件下TiO 对p-NP 的光催化 降解半衰期?为 12 15 min。1.2
8、.4 自然锰矿锰矿含有大量具有半导体特性的锰氧化物。锰氧化物主要是通过MnQ共棱而组成单链或双链,链间以共角顶的方式相连形成一维孔道,主要包括软锰矿、恩 苏塔矿、羟锰矿和锰钡矿型的矿物等。锰氧化物表现的环境属性包括作用、孔道效应、粒径效应以及氧化复原作用等。当通入氧气时:离子交换,在自然锰矿用量为 20 g/L、次氯酸钠用量为 20 mL/L、光强 2 000W 光距 10 cm、反响时间 60min、pH 在 7. 59. 5 条件下,废水的 CQD 去除率到达 52%脱色率到达 93%, 说明自然锰矿具有较好的光催化脱色效果展望。Semic on-ductorTiQ rutile2TiQ
9、a2nataseZnQWQ3 MoQ 3Ban d-gapEn ergy/eV3.003.153.35ThreholdWavele ngth/nm413394370Semic on-ductorSnQCdS2CdSeBan d-gapEn ergy/eV3.82.421.70ThreholdWavele ngth/nm3265127292 .纳米半导体光催化作用机理及特点Fe2Q32.2564Zn Se2.58481表 1 :某些半导体和它们的光学特性3.2388CdTe1.508272.9428ZnS3.23882.1 催化原理光催化是纳米半导体独特性能之一。就目前普遍承受的锐钛型纳米光催化
10、剂 来说,其粒子的能带构造是由填满电子的低能价带和空的高能导带构成,且价带和导带之间存在禁带。应当以光子能量等于或大于TiO 禁带宽度能量 3.2 eV2的光,尤其是在紫外光线的照耀下,处于价带上的电子就会激发跃迁到导带上,从 而分别在价带和导带上产生高活性的光生空穴 h+和光生电子e-,光生空穴具 有氧化性,而光生电子则具有复原性。此时的 h+和 e-存在两种可能,一是二者复 合,将吸取的光能以热的形式释放,使光催化效率降低;二是在外电场作用下,h+ 和 e-发生分别,并迁移到粒子外表的不同位置 将吸取的光能转换成化学能。实 验说明,吸附在TiO2外表的 O 可吸取e-反响生成过氧化物离子自
11、由基。在 pH10 条件下,分布在TiO 外表的 h+则可将吸附在TQ 外表的 0H 和“0 氧化成220H:,h+0H- QH h+2H2O OH +H30+0H 作为强氧化剂,可进一步与大多数有机污染物、细菌、病毒及局部无机污染物作用,最终使其氧化分解为 C0 和 H0 及无机物等无害物质。对于半导体的 光催化活性,则主要取决于导带与价带的氧化复原电位,价带的氧化复原电位越正,导带的氧化复原电位越负,则光生空穴和光生电子的氧化及复原力量就越强 , 从而使光催化降解污染物的效率大大提高。此外 ,很多有机物的电位比半导体的 价带电位更负些,因此,有机物直接被 h+氧化也是可行的。而外表具有很强
12、复原力量的高活性 e-,则可复原去除水中的金属离子,从而实现了光能与化学能的转图 1半导体光催化过程2.2 纳米半导体光催化氧化降解的特点3(1) 光催化不仅可以利用紫外光,还可以利用太阳光,通过半导体催化剂可以 将吸取的太阳光能转化为电能或者化学能,太阳能是“取之不尽,用之不竭”的能 源,从能源利用角度而言这一特征使光催化更具有开发的动力和应用的潜力。(2) 光催化技术对有机污染物的选择性格外广泛,对污染物的矿化程度高因为半导体光催化剂当能量等于或大于禁带宽度的光照耀时,价带电子被激发,越过禁带进入导带,在导带上产生带负电的高活性电子(e-),在价带上留下带正电荷的空穴(h+),即形成电子-
13、空穴对。(3) 半导体光催化剂为环境友善材料,光催化技术是绿色环保的技术目前降 解有机污染物多承受物理方法、化学方法和生物方法,但物理方法多为传统的处 理方法,主要针对有机污染物外表的污染;化学方法对内有肯定的降解作用,但处 理费用较高, 且二次产物的毒性需要进一步争论;生物方法一般都以细菌或真菌 为降解媒介,而且国内普遍承受稀释生化法处理,这种方法存在着稀释倍数高、负 荷大、运行不稳定和二次污染等问题.光催化能直接或间接地将污染物完全降解 为“O CQ PQ3- 等无毒的物质,无二次污染,且本身具有无毒、安全、见效快等 优点。(4) 光催化过程可同时实现氧化和复原两个反响过程,光致空穴具有强
14、氧化 性,不仅在水中形成复原电位都比臭氧正的0H 还可以直接催化氧化有机污染物, 被光激发产生的光生电子具有强复原性,可以把氧分子复原成(0-),水分子岐化 为 HQ,这是传统的技术所不具备的。(5) 光催化技术条件温顺 在室温下,就能将有机物彻底分解,且反响装置简洁. 而传统的高温燃烧法,装置简单且能量消耗高,这种处理方法通常会导致燃烧不 完全而生成有毒有害的中间产物,从而无法到达环境污染治理的目的。3. 纳米半导体材料的制备方法及影响因素3.1 制备方法3.1.1 模板制备法模板制备法是一种用化学方法进展纳米材料制备的方法,被广泛地用来合成 各种各样的纳米棒、纳米线、纳米管等。此种方法使分
15、散的纳米粒子在已做好的 纳米模板中成核和生长,因此,纳米模板的尺寸和外形打算了纳米产物的外部特 征。3.1.2 物理气相沉积物理气相沉积可以用来制备一维 ZnO 纳米线和二维 ZnO 纳米薄膜,原理是通 过对含 Zn 材料进展溅射、蒸发或电离等过程,产生 Zn 粒子并与反响气体中的 0 反响, 生成 ZnO 化合物,在衬底外表沉积。物理气象沉积技术已经演化出三种不 同的方法, 它们是真空蒸发法,真空溅射法和离子镀,离子镀是目前应用较广的。 3.1.3 脉冲激光沉积脉冲激光沉积也称 PLD 常用于纳米薄膜的制备。其工作原理就是用特定波 长和功率的激光脉冲聚焦光束,溅射真空状态下特定气压中的加热靶
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