T_ZSA 166-2023 石墨烯材料 绿色制备指南 第1部分：化学气相沉积法（CVD）.docx

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1、学兔兔标准下载ICS13.020.10CCS04团体标准T/ZSA166-2023石墨烯材料绿色制备指南第1部分：化学气相沉积法（CVD）Guidelinesforgreenproductionofgraphenematerialsandgreenhousegasemissionaccounting-Part1：Chemicalvapordeposition（CVD）2023-11-10发布2023-11-11实施中关村标准化协会发布I学兔兔标准下载T/ZSA166-2023目次前言.I引言.II1范围.12规范性引用文件.13术语和定义.14典型制备工艺.35制备工艺绿色化关键因素分析.36

2、温室气体排放核算.46.1核算单元反应过程分析.46.2核算步骤.47制备工艺绿色化途径.57.1减量化及资源化途径.57.2无害化及再利用途径.68绿色制备最佳实践与潜在绿色技术案例.68.1基底预处理阶段.68.2薄膜生长阶段.68.3薄膜转移阶段.79碳排放管理与措施.79.1建立温室气体排放台账.79.2制定梯度减排目标.79.3建立全供应链碳排放管理体系.79.4注重碳风险管理与信息披露.7附录A（资料性）绿色制备最佳实践与潜在技术.8附录B(资料性)温室气体排放核算台账表.11参考文献.12I学兔兔标准下载T/ZSA166-2023前言本文件按照GB/T1.12020标准化工作导则

3、第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中关村标准化协会技术委员会提出并归口。本标准主要起草单位：中关村华清石墨烯产业技术创新联盟、北京现代华清材料科技发展中心、北京清大际光科技发展有限公司、宁波石墨烯创新中心有限公司、烯旺新材料科技股份有限公司、上汽通用五菱汽车股份有限公司、济南产研烯金新材料科技有限公司、中国科学院宁波材料技术与工程研究所、安徽省石墨烯先进材料工程实验室、南京工业大学、宁波柔碳电子科技有限公司、重庆墨希科技有限公司、广州特种承压设备检测研究院（国家石墨烯产品质量检验检测中心（广东）。本

4、标准主要起草人：戴石锋、刘兆平、冯欣悦、蓝先、冷金凤、王俊中、王兰兰、汪伟、史浩飞、吴鉴、周旭峰、邹惠静、李茂东、周庆波、张涛、邵丽、袁凯杰、李占成、尹宗杰。I学兔兔标准下载T/ZSA166-2023引言石墨烯材料作为一种涉碳纳米新材料，具有多重优异的本征性质，在新能源、热管理、5G及电子器件、电力电网、航空航天、轨道交通及汽车、军工装备、体育器材、健康医疗等领域有着广阔的应用前景。经过10余年的发展，石墨烯在部分应用领域已取得了突破，呈现出良好的发展势头，产业规模逐年扩大。在“3060双碳”目标的大背景下，石墨烯材料作为新兴技术，不仅需要重视自身发展绿色化的问题，同时也要思考如何利用自身材料

5、性能优势为其他产业绿色低碳发展提供技术解决方案。石墨烯材料的制备方法通常分为“自上而下”（Top-Down）和“自下而上”（Bottom-Up）两类，见图1。其中，自上而下是指以石墨为原材料，采用物理、化学方法得到石墨烯材料，典型代表有微机械剥离法、液相剥离法、氧化还原法、电化学法等；自下而上是指以碳氢化合物、单晶硅等含有C元素的材料为原材料，在高温、超真空等环境下制备出石墨烯材料，典型代表有化学气相沉积（CVD）法、等离子体化学气相沉积（PECVD）法、SiC外延生长法、有机分子合成法、电弧法等。图1石墨烯材料制备方法本文件是系列标准，拟由下列几部分构成。本文件随着石墨烯材料其他制备技术的成

6、熟，会增加相应部分，指导制备技术的绿色化。第1部分化学气相沉积法（CVD），第2部分还原氧化法，第3部分液相剥离法，第4部分电弧放电法。本文件是针对CVD法制备石墨烯薄膜，以国家相关标准为基础，结合石墨烯材料具体的工艺制定。目前已经发布的国家标准有绿色产品评价通则（GB/T33761-2017）、绿色工厂评价通则（GB/T36132-2018）、行业循环经济实践技术指南编制通则（GB/T39161-2020）等。II学兔兔标准下载T/ZSA166-2023石墨烯材料绿色制备指南第1部分：化学气相沉积法（CVD）1范围本文件梳理了CVD法制备石墨烯薄膜的典型工艺流程，列举了原料、能耗等关键因素的

7、消耗范围，整理了典型工艺的温室气体排放核算方法，提出了绿色制备途径，推荐了绿色制备最佳实践与潜在技术和碳减排建议，给出了企业台账的参考模板，对石墨烯薄膜制造过程中的减量化、资源化及再利用、无害化方面提供了指南。本文件适用于绿色园区规划、绿色厂房建设、绿色工艺评价、绿色投资决策等。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款，其中注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单位）适用于本文件。T/CGIA001-2018石墨烯材料术语和代号3术语和定义T/CGIA001-2018界定的及下列术语和定义适用于本文

8、件。3.1石墨烯graphene每一个碳原子以sp2杂化与三个相邻碳原子键合形成的蜂窝状结构的碳原子单层。注：它是许多碳材料的构建单元。3.2石墨烯材料graphenematerials，GM由石墨烯（3.1）单独或紧密堆垛而成、层数不超过10层的二维材料及其衍生物。注1：石墨烯材料包括单层石墨烯、双层石墨烯、多层石墨烯。注2：常见改性方式包括氧化、氢化、氟化、磺化或异质掺杂等。注3：石墨烯材料的存在形态有：薄膜、粉体、浆料和三维构造体。注4：层数超过10层的一般称之为石墨。GB/T38114-2019,定义3.23.3石墨烯薄膜graphenefilm在特定基底表面上生长形成并从基体转移的连

9、续石墨烯材料（3.2）。1学兔兔标准下载T/ZSA166-20233.4绿色制备greenpreparation以合理利用资源、节约成本、降低环境污染、保障人体健康与安全为目标，对将原材料转变为产品的工序和环节进行控制，以达到其工艺绿色性，使得产品制造过程实现减量化、资源化及再利用、无害化。注1：减量化是指在生产过程中减少资源和能源的消耗，减少废弃物的产生。注2：资源化及再利用是指中间产物可以二次销售或者进行循环再利用。注3：无害化是指避使用或产生有毒有害的物质。3.5温室气体greenhousegas大气层中自然存在的和由于人类活动产生的能够吸收和散发由地球表面、大气层和云层所产生的、波长在

10、红外光谱内的辐射的气态成分。注1：如无特别说明，本标准中的温室气体包括二氧化碳(CO2)、甲烷(CH4)、氧化亚氯(N2O)、氢氟碳化物(HFCs)、全氟碳化物(PFCs)、六氟化硫(SF6)与三氟化氮(NF3)。本文件中涉及的温室气体主要指甲烷（CH4）。来源：GB/T321502015，3.1,有修改3.6核算单元accountingunit从石墨烯材料制备的生命周期考虑，纳入到企业生产系统中温室气体（3.5）核算的、物料往来易于计量的区块。3.7碳源流carbonsourceflow流入或流出某个核算单元的化石燃料、含碳的原材料、含碳的产品或含碳的废弃物。3.8过程排放processem

11、ission在生产、废弃物处理处置等过程中除燃料燃烧之外的物理或化学变化造成的温室气体（3.5）排放。来源：GB/T32151.10-2015，3.83.9排放因子emissionfactor表征单位生产或消费活动量的温室气体排放的系数。来源：GB/T32150-2015，3.133.10逸散排放Fugitiveemission因封闭不严或未封闭造成的气体有组织或无组织排放。2阶段工艺流程资源能源主产物副产物名称消耗量名称数量名称数量名称数量基底预处理超声清洗电化学抛光（1）有机溶剂（丙酮、乙醇等）（2）水（3）铜箔（1）0L5L（2）0L5L22（3）1m1.3m超声清洗机电化学设备0kWh

12、0.5kWh铜箔1m221.3m2有机洗液0L10L薄膜生长升温阶段（1）甲烷（2）氮/氩气（3）氢气（1）0.1L1L（2）3L6L（3）0.5L10LCVD炉9L20kWh石墨烯薄膜/铜箔1m21.3m2反应废气3L16L保温阶段生长薄膜阶段降温阶段薄旋涂&烘（1）转移支撑材料（1）5g10g水浴锅0kWh0.8石墨烯薄1m2刻蚀废标兔准兔学下载T/ZSA166-20234典型制备工艺CVD法制备石墨烯薄膜主要包括基底预处理（根据应用需求不同，可无此过程）、薄膜生长、薄膜转移三个主要环节，常以金属（或无机非金属）箔带为生长基底，整个过程涉及能源的消耗（电力）和资源的消耗（基底、碳源、化学试

13、剂、有机辅料等），产出石墨烯薄膜及其他废气、废液及废热，制备工艺流程见图2。图2石墨烯薄膜制备关键环节示意图注：绿色部分为流入核算单元的能源，蓝色部分为流入核算单元的含碳原材料及其他原材料，黄色部分为流出核算单元的含碳主产物，橙色部分为流出核算单元的含碳副产物及其他副产物。5制备工艺绿色化关键因素分析以实际生产制备1m2石墨烯薄膜为例，基于典型制备工艺的原料与能耗消耗范围见表1。表1石墨烯薄膜制备过程中资源、能源、主产物、副产物消耗情况表3膜转移干（2）刻蚀液（3）水（4）有机溶剂（丙酮、乙醇等）（2）0.5L1L（3）1L5L（4）1L5L旋涂仪鼓风干燥箱kWh膜液&洗液2L10L刻蚀&清洗

14、转移&烘干除PMMA标准下兔学兔载T/ZSA166-2023注：不同企业因规模化程度、最终产品的应用需求、选用的工艺、成本效率的考虑不同而导致数据存在一定差异，属正常现象。6温室气体排放核算6.1核算单元反应过程分析以甲烷为碳源，高温裂解后的活性基团为CxHy和H原子，CxHy基团以含碳粒子气体的形式排放，H原子结合成氢气与反应过程中通入的氢气一同排放，生产过程不产生二氧化碳等其他温室气体，制备过程本身为汇碳过程，制备过程反应机理如公式（1）所示。CH4高温C6（石墨烯薄膜）+CxHy（含碳粒子）+H2.（1）6.2核算步骤6.2.1核算范围对石墨烯薄膜制备过程的碳源流分析确定核算单元内无化石

15、燃料燃烧、无回收外供CO2、无输出的电力热力，应纳入核算部分的温室气体类型包括：a）过程排放：反应过程排放（公式（1）、废弃物处理排放及逸散排放b）购入电力、热力产生的排放石墨烯薄膜企业制备过程产生的温室气体排放总量按公式（2）计算E=E过程+E购入电+E购入热。（2）式中：E核算单元中温室气体排放总量，单位为吨二氧化碳当量(tCO2e)；E过程核算单元温室气体的过程排放，单位为吨二氧化碳当量(tCO2e)；E购入电核算单元购入电力产生的二氧化碳排放，单位为吨二氧化碳当量(tCO2e)；E购入热核算单元购入热力产生的二氧化碳排放，单位为吨二氧化碳当量(tCO2e)；6.2.2核算单元的过程排放

16、石墨烯薄膜生产的过程排放量按（3）计算E过程=E反应过程+E废物处置+E逸散排放（3）式中：E反应过程：反应过程（原料反应）中产生的二氧化碳排放，按公式（4）计算。4学兔兔标准下载T/ZSA166-2023E反应过程=AD甲烷CC甲烷(AD石墨烯薄膜CC石墨烯薄膜)(AD含碳粒子CC含碳粒子).（4）式中：AD甲烷甲烷碳源的投入量，单位为吨（t）；CC甲烷甲烷碳源的含碳量，单位为吨碳每吨（tC/t）；AD石墨烯薄膜石墨烯薄膜产品的产量，单位为吨（t）；CC石墨烯薄膜石墨烯薄膜产品的含碳量，单位为吨碳每吨（tC/t）；AD含碳粒子其他含碳粒子的量，单位为吨（t）；CC含碳粒子其他含碳粒子的含碳量

17、，单位为吨碳每吨（tC/t）；二氧化碳与碳的相对分子质量之比。E废物处置：石墨烯薄膜制备过程中废弃物主要为刻蚀及清洗废液，废液的处置以委托第三方为主，通过第三方处置废液的，E废物处置为零。E逸散排放：核算单元中逸散性排放产生的各种温室气体排放总量，单位为吨二氧化碳当量(tCO2e)，按公式（5）计算：E逸散排放=M甲烷GWP甲烷.（5）式中：M甲烷：逸散排放到大气中的甲烷的质量，单位为吨（t）GWP甲烷：甲烷的全球变暖潜势值，100年时间框架内取值286.2.3核算单元的电力、热力购入排放购入电力产生的二氧化碳排放量按（6）计算，购入热力产生的二氧化碳排放量按（7）计算E购入电=AD购电量EF

18、电（6）E购入热=AD购热量EF热（7）AD购电量核算单元中购入的电力，单位为兆瓦时（MWh）；EF电区域电网平均供电排放因子，单位为吨二氧化碳每兆瓦时（tCO2/MWh）；AD购热量核算单元中购入的热力，单位为吉焦（GJ）；EF热热力消费的排放因子，单位为吨二氧化碳每吉焦（tCO2/GJ）。7制备工艺绿色化途径7.1减量化及资源化途径7.1.1降低制备过程的物料消耗7.1.1.1采用无转移工艺，如在玻璃表面或石英表面直接生长，避免基底的消耗。7.1.1.2采用鼓泡法，机械剥离法、辊对辊直接转移法等基底可循环使用的工艺，避免基底的消耗。5学兔兔标准下载T/ZSA166-20237.1.1.3采

19、用辊对辊转移、机械法剥离等直接转移技术，避免间接转移支撑材料（如PMMA、热释放胶带、PDMS）的消耗。7.1.1.4增加气体循环利用系统，回收利用反应后排放的氢气、氮气、未反应的甲烷气体。7.1.2减少制备过程中的能源消耗7.1.2.1降低石墨烯薄膜制备温度，开发低温生长工艺或等离子体辅助低温工艺制备技术。7.1.2.2提高制备过程的能源利用率，提高制备设备的批次产能，如采用卷对卷、批对批、大腔体等大规模制备技术。7.2无害化及再利用途径7.2.1避免有毒有害副产物产生7.2.1.1避免丙酮/PMMA有机废液产生，可采用无溶胶工艺，如干法煅烧PMMA、热剥离胶带转移技术。7.2.1.2避免刻

20、蚀废液的产生，可采用电化学鼓泡法、机械剥离法、辊对辊转移法等免刻蚀技术。7.2.1.3可采用更易回收利用及工业附加值高的刻蚀液，如CuCl2刻蚀液。7.2.2避免温室气体使用或产生7.2.2.1采用液态或固态等非温室气体作为碳源，减少温室气体的使用和排放。7.2.2.2增加温室气体甲烷的回收利用，减少逸散排放。8绿色制备最佳实践与潜在绿色技术案例8.1基底预处理阶段8.1.1无转移玻璃表面生长在耐高温玻璃、熔融态玻璃、常规玻璃表面无转移生长，示例技术见附录A中的A.1。8.1.2无转移SiO2基底直接生长采用物理气相沉积与化学气相沉积相结合、双温区技术、金属助剂辅助技术实现石墨烯薄膜在Si02

21、表面直接生长，示例技术见附录A.2。8.2薄膜生长阶段8.2.1液态镓低温生长技术利用常温下为液态的镓液作为催化剂，实现石墨烯薄膜的生长，示例技术见附录A.3。8.2.2连续式卷对卷制备技术真空腔室内CVD法连续卷对卷制备石墨烯薄膜，示例技术见附录A.4。8.2.3倍增式批对批制备技术真空腔室内CVD法批对批制备石墨烯薄膜，示例技术见附录A.5。6学兔兔标准下载T/ZSA166-20238.2.4大腔体冷壁炉制备技术大腔体冷壁炉工艺CVD制备石墨烯薄膜，示例技术见附录A.6。8.2.5呼吸法制备大面积石墨烯薄膜通过压强差在铜箔卷上CVD法制备石墨烯薄膜，示例技术见附录A.7。8.3薄膜转移阶段

22、8.3.1免刻蚀法采用热剥离胶带辅助转移、辊对辊直接转移、电化学间接转移、机械剥离等无需刻蚀的工艺，示例技术见附录A.8。8.3.2刻蚀法采用绿色刻蚀液及带电压连续刻蚀技术等刻蚀成本低、环境友好工艺，示例技术见附录A.9。9碳排放管理与措施9.1建立温室气体排放台账企业可选取适用的标准或规范进行温室气体排放核算统计，企业应建立温室气体排放核算制度，包括负责机构和人员、工作流程和内容、工作周期和时间节点等。温室气体排放核算台账见附录B。9.2制定梯度减排目标企业宜根据当前温室气体排放总量，制定梯度减排目标。规划行动路线图和减排时间表。企业宜采用风能、光能、水能、氢能等清洁能源，使用最新固碳汇碳技

23、术，逐步降低火力电能的使用比例。9.3建立全供应链碳排放管理体系企业宜采用数字技术赋能技术，关注产品设计、开发、生产、管理、销售等多个环节信息化建设，关注企业全供应链的碳减排数字化工作。9.4注重碳风险管理与信息披露企业应密切关注与碳排放、碳足迹等相关的法律法规、产业政策及标准，建立合理的信息披露制度，按相应地方或市场要求，及时、真实地报告和披露碳排放信息。7学兔兔标准下载T/ZSA166-2023附录A（资料性）绿色制备最佳实践与潜在技术A.1无转移玻璃表面生长技术A.1.1耐高温玻璃表面生长以石英玻璃、硼硅玻璃、蓝宝石玻璃等耐高温玻璃作为基底，1000下采用常压CVD法生长2h6h，碳源可

24、在玻璃表面直接高温裂解生成石墨烯薄膜；A.1.2熔融态玻璃表面生长采用常压CVD法，碳源在退火后的熔融态玻璃表面经高温热解生长成石墨烯薄膜，此工艺可将石墨烯制备引入玻璃熔体成型生产过程，实现石墨烯玻璃在线生产；A.1.3低温下玻璃表面生长采用等离子化学气相沉积（PECVD），低压400600下可生长出呈网络状直立的石墨烯薄膜，薄膜的厚度可以通过调节碳源浓度和生长时间来控制。A.2无转移SiO2基底直接生长技术A.2.1PVD+CVD制备石墨烯薄膜采用物理气相沉积工艺（PVD）在石英基片上生长Cu薄膜，然后采用CVD工艺在Cu薄膜表面生长石墨烯，原位生长的石墨烯薄膜不需后期专门的转移处理；A.2

25、.2Si02基底上双温区无金属催化直接生长通过双温区CVD系统（高温区1100，低温区800），高温区分解，低温区生长，利用抛光石英表面与石墨烯之间的吸附能高于石墨烯之间的吸附能，C原子更趋向于吸附在石英基片的表面而不是堆垛在石墨烯晶核的顶部，制备高品质石墨烯薄膜。A.2.3金属助剂辅助无转移生长利用含金属前驱体的醋酸铜提供铜团簇，以实现石墨烯生长过程中的金属催化，辅助石墨烯在绝缘衬底上的直接生长。借助独立的加热系统，使醋酸铜挥发，将其输送到反应腔体中，在高温下裂解得到铜团簇。铜团簇能够显著降低甲烷的裂解能垒，实现碳源的充分裂解，并在晶圆级绝缘衬底上生长出高品质无需转移的石墨烯。该方法得到的石

26、墨烯无铜残留，具有较高的结晶质量，多层区域得以抑制，并显示出高载流子迁移率。A.3液态镓低温生长技术在真空腔室中，选用有机柔性基底，利用常温下为液态的镓液作为催化剂，在镓液池中通入甲烷、乙烯、乙炔等含碳气体作为碳源，在较低温度下（70280），通过收卷辊和放卷辊配合，实现了连续、低温制备石墨烯薄膜，薄膜可以直接生长在目标基底上，避免了繁杂的转移过程。A.4连续式卷对卷CVD制备技术8学兔兔标准下载T/ZSA166-2023在真空腔室中设计气路系统和动力辊系统，采用传统CVD方法，金属箔带从驱动辊传至生长辊，生长辊配有局部加热装置，含碳气体在加热部分被催化分解生成石墨烯薄膜，薄膜随箔带传送至快速

27、冷却装置，可在数十秒内降至室温，冷却后的箔带与附有热释胶带的卷轴一起收到收卷辊，热释胶带既可以作为转移时的支撑财材料，又可作为保护层材料。A.5倍增式批对批CVD制备技术倍增式批对批技术提供了一种石墨烯夹具及制备方法，由两侧支架固定一批间隔5-10mm的水平支撑棒，生长基底排列挂在水平支撑棒上，夹具及箔带一起放入CVD炉中。这种工艺结构简单，易于加工，成本较低，且易于装样，适合中小面积的石墨烯薄膜批量化生产，且生产过程中金属催化剂不产生褶皱，提高成品质量，同时提高了单炉制备量，提高生产效率。A.6大腔体冷壁炉制备技术采用不锈钢外壳炉体，内壁有加热层和保温层，加热方式为加热棒加热，反应腔分为进样

28、舱、工艺舱、出样舱，各舱室相连并通过插板阀控制真空度，腔室之间通过自动挂架控制样品的进出。此工艺可以实现进样的同时出样，提高了生产效率；其次，电阻加热式冷壁炉的理论使用年限比传统石英管寿命长，而且尺寸不受加工工艺限制，最大可达2000mm，而石英管炉最大450mm，提高了单炉生长效率。A.7呼吸法制备大面积石墨烯薄膜将铜箔卷绕起来，为了防止铜箔高温下粘连，铜箔两端放置宽1cm，厚1mm的石墨毡条，毡条具有多孔结构且耐高温，可以将铜箔隔开同时保证气体流通。同时利用人体“呼吸”原理，提出一种“呼吸”法（B-CVD）通过控制腔体的压强，实现反应室内的气体交换，解决了气体流通不畅的问题，从而制得了大面

29、积（110cm*25cm）的石墨烯薄膜。A.8免刻蚀法A.8.1概述在刻蚀法转移法中，Cu基底刻蚀的成本损耗超过了50%，加上废液回收及环境成本，大大限制了石墨烯产品的市场竞争力。因此，采用非刻蚀手段，将Cu基底与石墨烯完整分离，既可以大大提高转移效率，又可实现Cu基底的循环再生长，减少转移成本。虽然目前通过免刻蚀法转移的薄膜质量与刻蚀法相比仍有一定差距，但通过工艺的改进，可以将得到石墨烯损伤程度控制在可应用范围。且由于其快速、低成本、环境友好，符合绿色制备观念，具有很好的工业化发展前景。A.8.2热剥离胶带辅助转移用热剥离胶带作为支撑膜，热剥离胶带在常温下具有较强的粘性，在80120时其粘性

30、则迅速丧失。常温下热剥离胶带附在Cu基的石墨烯表面，Cu刻蚀后，将热剥离胶带/石墨烯帖附在目标基底上，加热80120，使热剥离胶带丧失粘性与基底脱离，石墨烯则被保留在了目标基底上。此方法不涉及除胶过程中的丙酮处理（湿法），也不涉及高温处理（干法），可将石墨烯转移到不耐丙酮、不耐高温的有机基底上，如PET基底，PVDF基底。A.8.3辊对辊直接转移目标基底上附有胶黏剂，目标基底与生长有石墨烯薄膜的基底通过热辊滚压结合，石墨烯与目标基9标准学兔兔下载T/ZSA166-2023底间形成结合力，降温后再通过冷辊将石墨烯薄膜与基底分离。该方法与半导体领域的真空镀膜、沉积、热压等工艺相互兼容，有助于实现大

31、规模二维材料的应用，因此也是目前效率最高的转移方法。A.8.4电化学间接转移（鼓泡法）利用电化学的方法，施加一个较小的电流时，水分解产生的大量氢气气泡将涂覆转移介质的二维材料与金属基体剥离，转移至目标基底后去除转移介质。转移完成后，生长基体不会受到损伤，可重复利用。使用鼓泡法分离二维材料与金属基体，速度快、效率高，避免了二维材料在溶液中的长时间浸泡，获得的二维材料样品更加清洁，并且节约了基体材料成本，适用于大面积的二维材料转移。A.8.5机械剥离技术直接转移将目标基底与石墨烯通过环氧树脂连接，通过测量石墨烯与生长基体之间的粘附力，采用了一定的力学参数使石墨烯可以从生长基体上完全脱落，而不破坏生

32、长基体，从而实现无损转移。此外，生长衬底可以继续用于生长单层石墨烯。这种转移方法可以有效地实现单层石墨烯转移，同时降低生产成本。A.9刻蚀法A.9.1CuCl2溶解基底的直接转移采用液相刻蚀剂溶解生长基底时，HNO3刻蚀速度快，同时也可避免铁离子残留影响，但是会产生氮氧化物有害气体；FeCl3反应更加温和，但存在金属掺杂风险；过硫酸铵无金属离子残留影响，但刻蚀时间长；建议工业可选用CuCl2作为刻蚀剂，与铜基底发生反应：，废液更利于Cu的回收利用，具有更高的工业价值。A.9.2带电压连续刻蚀技术采用统刻蚀液（硫酸铜盐酸混合溶液、过硫酸铵溶液、氯化铁溶液），通过通入15-30V电压，以金属为阴极

33、，目标刻蚀体（由目标衬底、石墨烯薄膜和金属基板组成）为阳极，目标刻蚀体通过放样系统（进料卷绕装置轴）通过刻蚀液，经过刻蚀后得到成品（由目标衬底和石墨烯薄膜），在收样系统（出料卷绕装置轴）收样。此方法可以加快金属基板和化学试剂的反应速率，从而提高石墨烯薄膜的转移速率。10源类别生产过程产生的二氧化碳排放量外购电力、热力产生的二氧化碳排放量合计(t)原料甲烷投入量(t)原料含碳量（tC/t）石墨烯薄膜产量(t)石墨烯薄膜含碳量（tC/t）含碳粒子量（t）含碳粒子的含碳量（tC/t）散逸排放的甲烷量(t)购入电力(MWh)购入热力(GJ)1月2月3月4月5月6月7月8月9月10月11月12月标准下载学兔兔T/ZSA166-2023附录B(资料性)温室气体排放核算台账表企业名称：20年度石墨烯薄膜制备温室气体排放核算表1.活动数据的获取：原料消耗表、产品产量表、企业能源平衡表、财务报表（原料购买量、电力/热力销售额、产值）等。2、排放因子的获取：（1）电力消费的排放因子应根据企业生产低及目前东北、华北、华东、华中、西北、南方电网划分，选用国家主管部门的最近年份发布数据相应区域电网排放因子（2）热力消费的排放因子可取推荐值0.11tCO2/GJ,也可采用政府主管部门发布的官方数据。11学兔兔