多弧离子镀的发展及应用.docx
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1、多弧离子镀的进展及应用摘要:本文从多弧离子镀技术的提出及其引入国内为背景,回忆了多弧离子镀技术的进展历程,从根本原理、工艺设备以及镀膜特点和影响因素到多弧离子镀技术的进展前景以及应用。关键词:多弧离子镀 镀膜材料设备 原理 应用前言:自 20 世纪 70 年月以来,外表技术得到突飞猛进的进展,无论在学术上还是在实际应用中都取得了丰硕的成果。离子镀技术是当今使用面最广、最先进的外表处理技术之一,而多弧离子镀更是其中的佼佼者1。多弧离子镀技术是离子镀技术中的一种改进方法,将蒸发源作为阴极,真空壳体接地,阴极蒸发源与壳体之间产生弧光放电,工件基体与壳体之间产生辉光放电2,使阴极靶材蒸发离化,碰撞激发
2、空间气体离子,产生空间等离子体,轰击、加热基体,最终沉积镀覆。由于其蒸发源多,离化率高,一弧多用,膜层均匀,沉积速度快, 膜层致密高,强度耐磨好等优点,被广泛应用于实际生产中3。在改性材质使之超硬、耐磨、耐热争论上,多弧离子镀成为首选技术,如超硬度要求的冲孔冲模工件镀膜,高耐磨要求的航天用球轴承镀膜,高耐热要求的发动机涡轮叶片镀膜。并由于膜层成分不一产生不同的色泽,使其在装饰、钟表行业上也得到进一步应用。离子镀的进展20 世纪 80 年月,多弧离子镀技术开头兴起,引进过后国内争论者首先对其工艺流程操作参数进展大量试验争论和应用探讨,觉察多弧离子镀技术中存在靶材局部烧蚀,镀膜消灭液滴等问题,提出
3、外加磁场进展改进。由于多弧离子镀阴极的材料熔点相对较低,故使其局限于某些低熔点金属作为镀膜,应用最多的则是在 TiN 等薄膜上,而后大量争论集中于 TiN 薄膜沉积制备的工艺上。经实践和应用,TiN 薄膜在高温下抗氧化、抗集中力量和耐磨性能缺乏,一般通过添加其他元素改性或者进展多层化处理。同时,还对多弧离子镀技术进展改进,承受脉冲偏压代替直流偏压,将离子渗透、离子浸没等手段与多弧离子镀结合起来进展复合镀膜。根本原理、工艺及设备简介多弧离子镀的原理多弧离子镀的蒸发源构造如图,它由水冷阴极、磁场线圈、引弧电极等组 成阴极材料即是镀膜材料。在 lO 一 10Pa 真空条件下,接通电源并使引弧电极与阴
4、极瞬间接触,在引弧电极离开的瞬间,由于导电面积的快速缩小,电阻增大,局部区域温度快速上升,致使阴极材料熔化,形成液桥导电,最终形成爆发性的金属蒸发,在阴极外表形成局部的高温区,产生等离子体,将电弧引燃,低压大电流的电源维持弧光放电的持续进展。在阴极外表形成很多光明的移动变化的小点,即阴极弧斑。阴极孤斑是存在于微小空间的高电流密度、高速变化的现象。阴极弧斑的尺寸微小,有关资料测定为 1100 斗 m;电流密度很高,可达105107Acm2每个弧斑存在的时间很短,在其爆发性地离化放射离子和电子,将阴极材料蒸发后,在阴极外表四周,金属离子形成空间电荷,又建立起弧斑产生的条件,产生的弧斑,众多的弧斑持
5、续产生,保持了电弧总电流的稳定。阴极材料以每一个弧斑 6090的离化率蒸发沉积于基片外表形成膜层。阴极弧斑的运动方向和速度受磁场的掌握,适当的磁场强度可以使弧斑细小、分散, 对阴极外表实现均匀刻蚀。多弧离子镀的根本原理就是把金属蒸发源(靶源)作为阴极,通过它与阳极壳体之间的弧光放电,使靶材蒸发并离化,形成空间等离子体,对工件进展沉积镀覆。多弧离子镀工艺镀膜基材承受 w6M05cr4V2 高速钢,尺寸为 10mmlonlnl12mnl。基体试 样的制备过程为:热轧一等温球化退火一粗加工成试样毛坯一最终热处理一精加 工(主要是磨削)。最终热处理工艺为:850预热一 1230加热保温一油冷一 560
6、lh 回火三次,6365 HRC。三元膜在 TG6B 六弧冷阴极离子镀膜机上镀覆。镀覆前试样经严格的丙酮超声清洗。承受两个纯钛靶(99,9)、两个纯铬靶(999),靶位呈上下穿插布置。镀膜工艺参数:电弧电流 70A,起弧电压 18V, 基板温度 300,轰偏电压在 100300v 范围内优化,氮分压在 o210Pa 之间优化。膜层性能测试方法及设备膜层硬度用 DM 一 400 型显微硬度计测量;膜基界面结合力用自制划痕仪评定;膜层物相构造用 D万方数据多弧离子镀(Ti,Cr)N 膜层工艺及性能 maxRB 型 x 射线衍射仪分析。试验结果及分析偏压对膜层硬度及膜基结合力的影响试验参数:弧电流
7、70A,起弧电压 18V,沉积时间 50min,氮分压 o8Pa,基板温度 300。在试验参数不变的状况下, 分别将偏压值定为 100V、200V 和 300V,以争论偏压对(Ti,Cr)N 膜层硬度的影响规律。并同时比照偏压对I、lN、crN 膜层硬度及膜基结合力的影响。表 1 结果可见,在试验参数范围内,(Ti,cr)N 膜层的硬度随偏压的增大而增大,膜基结合力随偏压的增大而增大。在一样的偏压下,(Ti,Cr)N 膜层的硬度最高、, l、iN 次之、crN 最小;(Ti,cr)N 膜层的膜基结合力均比 TiN、CrN 高。(Ti, cr)N 中 cr 的含量随偏压的增加而削减,而 Cr 在
8、镀制膜层中的含量多少打算了膜层的硬度凹凸。cr 含量低,膜层硬度则高;cr 含量高,膜层硬度则低。偏压增大,荷能粒子能量随之提高;高能粒子对基体外表的轰击作用会引起外表吸附杂质的溅射脱附,造成外表择优吸附位置,增加外表原子活性,进而改善膜基结合性能。氮分压对膜层硬度的影响试验参数:弧电流 70A,起弧电压 18V,沉积时间 somin,偏压 200V,基板温度 300。上述试验参数不变,分别凋整氮分压值为o2Pa、o4Pa、06Pa 和 08Pa,以争论氮分压对(Ti,cr)N 膜层硬度的影响。作为比照,同时考察氮分压对 TlN、crN 膜层硬度及孔隙率的影响。随着氮分压的提高,(Ti,cr)
9、N 膜层硬度相应增大,孔隙率渐渐增大,使膜的致密性受到影响。在较低的氮分压下, N 膜层的硬度也高于较高氮分压时 TiN、crN 膜层的硬度。在一样的氮分压下,N 膜层孔隙率低于 TiN、crN 膜层孔隙率。氮分压对膜层硬度的影响,主要是提高氮分压使膜层生长速.氮分压对膜层硬度及孔隙率的影响。镀膜特点以及影响因素多弧离子镀的特点:1、阴极电弧蒸发源不产生溶池,可以任意设置于镀膜室适当的位置,也可以承受多个电弧蒸发源提高沉积速率使膜层厚度均匀,并可简化基片转动机构。 2、金属离化率高,可达 80以上,因此镀膜速率高,有利于提高膜基附着性和膜层的性能。3、一弧多用,电弧既是蒸发源和离化源又是加热源
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- 离子镀 发展 应用
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