氮化镓(GaN)接替硅支持高能效、高频电源设计.docx

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1、氮化钱（GaN）接替硅，支持高能效、高频电源设计：安森美半导体策略营销总监Yong Ang在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高 开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽 禁带技术如氮化线（GaN）来提供方案。对于新技术而言，GaN本质上比其将取代的技术（硅）成本低。GaN器件与硅器 件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此，由于GaN器件小于等效硅器 件，因此每个晶片可以生产更多的器件，从而降低了每个晶片的成本。GaN有许多性能优势，包括远高于硅的电子迁移率（3.4eV对比1. leV）,这使 其具有比硅高1000倍的电子传导效率的

2、潜力。值得注意的是，GaN的门极电荷 （Qg）较低，并且由于必须在每个开关周期内对其进行补充，因此GaN能够以 高达1 MHz的频率工作，效率不会降低，而硅则难以达到100 kHz以上。此 外，与硅不同，GaN没有体二极管，其在AlGaN / GaN边界表面的2DEG可以沿 相反方向传导电流（称为“第三象限”操作）。因此，GaN没有反向恢复电荷 （Qrr）,使其非常适合硬开关应用。IkW Conventional BoostGaNSuper Junction FET1kHz 100kHz 1MHzOOOOOOOOOO 987654321(M) ssol3ModI ow swftciMif* l

3、osses1kHz 100kHz 1MHzM Conduction Loss (W) Switching loss (W) M Total Loss (W)图1： GaN经优化实现快速开关GaN确实具有有限的雪崩能力，并且比硅更容易受到过电压的影响，因此极其 适用于漏-源电压（Vds）钳位在轨电压的半桥拓扑。无体二极管使GaN成为硬开 关图腾柱功率因数校正（PFC）的很好的选择，并且GaN也非常适用于零电压开 关（ZVS）应用，包括谐振LLC和有源钳位反激。45 W至65 W功率水平的快速充电适配器将得益于基于GaN的有源钳位反激， 而基于LLC的GaN用于150 W至300 W的高端笔记本电

4、脑电源适配器中，例如 用于游戏的笔记本电脑。在这些应用中，使用GaN技术可使功率密度增加一倍，从而使适配器更小、更轻。特别地，相关的磁性元器件能够减小尺寸。例 如，电源变压器内核的尺寸可从RM10减小为RM8的薄型或平面设计。因此，在 许多应用中，功率密度增加了一倍甚至三倍，达30 W / in3o在更高功率的应用中，例如为服务器、云和电信系统供电的电源，尤其是基于 图腾柱PFC的电源，采用GaN可使能效超过99%。这使这些系统能够满足最重 要的（和严格的）能效标准,如80+ titaniumo驱动GaN器件的方法对于保护相对敏感的栅极氧化物至关重要。在器件导通期 间提供精确调节的门极驱动幅值

5、尤为重要。实现此目的的一种方法是添加低压 降稳压器（LD0）到现有的硅MOSFET门极驱动器中。但这会损害门极驱动性 能，因此，最好使用驱动GaN的专用半桥驱动器。更具体地说，硅MOSFET驱动器的典型传输延迟时间约为100 ns,这不适合驱 动速度在500 kHz至Ul MHz之间的GaN器件。对于此类速度，理想情况下，传 输延迟应不超过50 nso由于电容较低，因此在GaN器件的漏极和源极之间有高电压转换率。这可能导 致器件过早失效甚至发生灾难性故障，尤其是在大功率应用中。为避免这种情 况，必须有高的dv / dt抗扰度（在100 V / ns的范围内）。PCB会对GaN设计的性能产生实质

6、性影响，因此经常使用RF型布局中常用的技 术。我们还建议对门极驱动器使用低电感封装（如PQFN）。安森美半导体的NCP51820是业界首款半桥门极驱动器，专门设计用于GaN技 术。它具有调节的5. 2 V门极驱动，典型的传输延迟仅为25 nso它具有高达 200 V / ns的dv / dt抗扰度，采用低电感PQFN封装。图2： NCP51820高性能、650 V半桥门极驱动器用于GaN电源开关 最初采用GaN技术并增长的将是如低功率快速充电USB PD电源适配器和游戏类 笔记本电脑高功率适配器等应用。这主要归因于有控制器和驱动器可支持需要 高开关频率的这些应用，从而缩短了设计周期。随着合适的驱动器、控制器和 模块方案可用于服务器、云和电信等更高功率的应用，那么GaN也将被采用。