数字电子技术(第2版）-习题及答案ch08.docx

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1、第八章半导体存储器8.1 ROM半导体存储器可以分为哪几类？各有什么特点？与RAM的最大区别是什 么？答:只读存储器ROM通常分为:掩膜式ROM、一次可编程ROM(PROM)、紫外线可擦除 ROM(EPROM)、电可擦除ROM(E2PROM)、快闪存放器(FlashMemory)等几种类型。掩膜式ROM只能在工厂中使用掩膜光刻工艺将需要存放的数据存放在存储单元中，一 次写入后不能再改写;一次可编程ROM(PROM)在存储单元与位线间加上一个熔丝，如果希望 某一个单元存放数据0便将该点的熔丝烧断，所以只能一次写入;紫外线可擦除ROM(EPROM) 编程时需要将芯片在机器上拿下，放在专门的装置上进

2、行，操作手续多，耗时长、编程电压高、 安全性差;电可擦除ROM(E2PROM)用电信号擦除，擦除和写入时均需要加高电压脉冲,且擦、 写时间较长，在系统正常工作时，只能工作在读状态，作为ROM使用;快闪存放器(FlashMemory) 集成度高,价格低，可靠性高，擦写速度快，擦写次数多，功耗低，编程电源低，可使用主机电源在 线操作。ROM与RAM的主要区别和使用场合：ROM存放的数据一般不能用简单的方法改写，正常使用时主要对其进行读取，且掉电后 内部信息不丢失，一般用于存放一些固定的数据或程序;RAM工作时可随时从任何一个地址 读出数据，也可随时将数据写入任何一个指定的存储单元，一旦停电后所存储

3、的数据将随之丢 失，可用作内存或高速缓冲存储器。8. 2动态MOS型RAM为什么要进行刷新？答：因为动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，而电容回逐渐放电，所 以动态RAM要刷新；可以通过对动态RAM不断地进行读出和写入，以使泄放的电荷得到 补充，来完成刷新。8. 3试分析叠栅隧道管存储单元的写入与擦除的工作原理。答：略8. 4如某台计算机的内存储器有16位地址线，8位并行的数据输入/输出端，试 问它的最大存储容量为多少？答：64KB8. 5若有一片256Kx8位的存储芯片，请问该芯片有多少个字？每个字有多少位？ 其地址线和数据线各有多少根？解:该存储器需要2048K/256K=8片SRAM芯片;(2)需要21条地址线，因为221=2048K, 其中高3位用于芯片选择，低18位作为每个存储器芯片的地址输入。8. 6略