模拟电子技术基础课件01-3讲义晶体管.pptx
《模拟电子技术基础课件01-3讲义晶体管.pptx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模拟电子技术基础课件01-3讲义晶体管.pptx(23页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、模拟电子技术基础课件01-3讲义晶体管晶体管概述晶体管特性晶体管应用晶体管电路分析晶体管参数选择与使用注意事项contents目录01晶体管概述0102晶体管定义晶体管由三个电极(集电极、基极、发射极)构成,根据结构和工作原理可分为双极型晶体管和场效应晶体管两大类。晶体管:是一种半导体器件,利用半导体材料的特殊性质实现信号放大、开关控制等功能。双极型晶体管(BJT)由两个PN结(集电极-基极、基极-发射极)构成,利用载流子的运动实现信号放大和开关控制。场效应晶体管(FET)利用电场效应控制通道中载流子的运动,实现信号放大和开关控制。根据结构和工作原理,场效应晶体管又可分为金属氧化物半导体场效应
2、晶体管(MOSFET)和绝缘栅场效应晶体管(IGFET)等。晶体管分类当基极电流发生变化时,集电极电流会相应变化,实现信号放大;当基极电流为零时,集电极电流也为零,实现开关控制。通过改变电场强度来控制通道中载流子的运动,实现信号放大和开关控制。晶体管工作原理场效应晶体管工作原理双极型晶体管工作原理02晶体管特性描述晶体管在不同工作状态下,电流与电压之间的关系。总结词晶体管的电流-电压特性是描述晶体管在不同工作状态下,电流与电压之间的关系。在晶体管的不同工作区域,电流和电压之间的关系是不同的。在放大区,晶体管的电流和电压呈现线性关系;在截止区,晶体管的电流几乎为零;在饱和区,晶体管的电流达到最大
3、值,电压变化较小。详细描述电流-电压特性总结词描述晶体管在不同频率下的性能表现。详细描述频率特性是指晶体管在不同频率下的性能表现。由于晶体管的内部结构和工作原理,其性能会受到频率的影响。在高频情况下,晶体管的放大倍数和截止频率会降低,因此需要选择适合工作频率的晶体管,以保证电路的正常工作。频率特性VS描述晶体管在不同功率水平下的性能表现。详细描述功率特性是指晶体管在不同功率水平下的性能表现。在功率放大电路中,晶体管需要承受较大的功率,因此需要考虑其功率容量和散热性能。同时,在选择晶体管时,需要根据电路的功率需求来选择合适的型号和规格,以确保电路的正常运行和可靠性。总结词功率特性03晶体管应用总
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模拟 电子技术 基础 课件 01 讲义 晶体管
限制150内