半导体物理课件第二章.pptx
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1、半导体物理课件第二章目录contents半导体物理基础半导体材料特性半导体中的输运现象半导体器件基础半导体器件的工作原理半导体器件的应用半导体物理基础01CATALOGUE总结词半导体的定义与分类详细描述半导体的定义是指那些在一定温度下,其导电性能介于金属和绝缘体之间的材料。根据导电性能的不同,可以将半导体分为N型和P型两类。半导体的定义与分类总结词半导体中的电子状态详细描述在半导体中,电子的状态可以通过能带模型来描述。在满带和空带之间存在一个禁带,禁带的宽度决定了半导体的特性。当受到外界能量刺激时,电子可以从满带跃迁到空带,形成导带和价带。半导体中的电子状态总结词半导体中的载流子详细描述在半
2、导体中,存在两种主要的载流子,分别是自由电子和空穴。自由电子是价带中的电子跃迁到导带形成的,而空穴则是在价带中留下一个空位。这两种载流子的浓度决定了半导体的导电性能。半导体中的载流子半导体材料特性02CATALOGUE元素半导体是指由单一元素构成的半导体材料,如硅(Si)和锗(Ge)。元素半导体的晶体结构通常为金刚石型或闪锌矿型,具有较高的熔点和硬度。元素半导体的导电性能可以通过掺杂实现,即在晶体中加入其他元素来改变其导电性。元素半导体在电子和光电子器件中有广泛应用,如晶体管、集成电路和太阳能电池等。01020304元素半导体化合物半导体是指由两种或多种元素构成的半导体材料,如砷化镓(GaAs
3、)、磷化铟(InP)和氮化镓(GaN)等。化合物半导体的导电性能通常比元素半导体更优异,具有更高的电子迁移率和发光效率。化合物半导体在高速电子器件、光电子器件和激光器等领域有广泛应用。化合物半导体的晶体结构复杂多样,可以通过调整元素组成和比例来控制其性质。化合物半导体掺杂半导体是指在半导体材料中加入其他元素,以改变其导电性能的半导体。掺杂半导体的导电性能可以通过控制杂质浓度进行调节,从而实现电子和光电器件的定制化。通过掺入施主或受主杂质,可以控制半导体的导电类型和载流子浓度。掺杂半导体的制备工艺简单,成本较低,因此在微电子和光电子领域有广泛应用。掺杂半导体半导体中的输运现象03CATALOGU
4、E热电子发射是当半导体表面温度升高时,电子从半导体中逸出的现象。总结词热电子发射基于斯蒂芬-玻尔兹曼定律,描述了电子从热平衡态向非平衡态的跃迁。在半导体表面,电子获得足够的能量,克服表面势垒,逸出半导体。详细描述热电子发射隧道效应是指电子通过一个势垒较高的区域,而不需要达到逸出功的现象。在隧道效应中,电子的波函数可以穿透势垒,从而实现电子的传输。这种现象在超薄势垒的隧道结中尤为显著,常用于制造隧道结器件。隧道效应详细描述总结词光电效应总结词光电效应是指光子与电子相互作用,使电子吸收光子能量并从价带跃迁至导带的现象。详细描述当光子能量大于半导体的禁带宽度时,光子被吸收,价带中的电子吸收光子能量跃
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