《光纤通信》第4章复习思考题参考答案 .doc

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1、第4章 复习思考题参考答案4-1 简述半导体发光基理答：在构成半导体晶体的原子内部，存在着不同的能带。如果占据高能带（导带）的电子跃迁到低能带（价带）上，就将其间的能量差（禁带能量）以光的形式放出，如图4.2.1所示。这时发出的光，其波长基本上由能带差所决定。能带差和发出光的振荡频率之间有的关系，h 是普朗克常数，等于6.62510-34 Js。由得出（mm） （4.2.1）式中，c 为光速，取决于半导体材料的本征值，单位是电子伏特（eV）。 图4.2.1 半导体发光原理4-2 简述激光器和光探测器的本质区别答：发光过程，除自发辐射外，还有受能量等于能级差的光所激发而发出与之同频率、同相位的光

2、（激光），即受激发射，如图4.2.2（b）所示。图4.2.2 光的自发辐射、受激发射和吸收反之，如果把能量大于的光照射到占据低能带的电子上，则该电子吸收该能量后被激励而跃迁到较高的能带上。在半导体结上外加电场后，可以在外电路上取出处于高能带上的电子，使光能转变为电流，如图4.2.2（c）所示，这就是光接收器件。4-3 自发辐射的光有什么特点答：对于大量处于高能带的电子来说，当返回能级时，它们各自独立地分别发射一个一个的光子。因此，这些光波可以有不同的相位和不同的偏振方向，它们可以向各自方向传播。同时，高能带上的电子可能处于不同的能级，它们自发辐射到低能带的不同能级上，因而使发射光子的能量有一定

3、的差别，这些光波的波长并不完全一样。因此自发辐射的光是一种非相干光，如图4.2.2（a）所示。4-4 受激发射的光有什么特点答：受激发射生成的光子与原入射光子一模一样，即它们的频率、相位、偏振方向及传播方向都相同，它和入射光子是相干的。4-5 如何才可能实现光放大？答：激光器工作在正向偏置下，当注入正向电流时，高能带中的电子密度增加，这些电子自发地由高能带跃迁到低能带发出光子，形成激光器中初始的光场。在这些光场作用下，受激发射和受激吸收过程同时发生，受激发射和受激吸收发生的概率相同。用和分别表示高、低能带上的电子密度。当时，受激吸收过程大于受激发射，增益系数，只能出现普通的荧光，光子被吸收的多

4、，发射的少，光场减弱。若注入电流增加到一定值后，使，g 0，受激发射占主导地位，光场迅速增强，此时的P-N结区成为对光场有放大作用的区域（称为有源区），从而形成受激发射，如图4.2.3所示。4-6 说出产生激光的过程答：激光器工作在正向偏置下，当注入正向电流时，高能带中的电子密度增加，这些电子自发地由高能带跃迁到低能带发出光子，形成激光器中初始的光场。在这些光场作用下，受激发射和受激吸收过程同时发生，受激发射和受激吸收发生的概率相同。用和分别表示高、低能带上的电子密度。当时，受激吸收过程大于受激发射，增益系数，只能出现普通的荧光，光子被吸收的多，发射的少，光场减弱。若注入电流增加到一定值后，使

5、，增益系数g 0，受激发射占主导地位，光场迅速增强，此时的PN结区成为对光场有放大作用的区域（称为有源区），从而形成受激发射，如图4.2.2（b）和图4.2.3所示。半导体材料在通常状态下，总是，因此称的状态为粒子数反转。使有源区产生足够多的粒子数反转，这是使半导体激光器产生激光的首要条件。 （a）没有偏置时的能带图（b）正向偏置足够大时的能带图，此时引起粒子数反转，发生受激发射图4.2.3 半导体激光器的工作原理半导体激光器产生激光的第2个条件是半导体激光器中必须存在光学谐振腔，并在谐振腔里建立起稳定的振荡。有源区里实现了粒子数反转后，受激发射占据了主导地位，但是，激光器初始的光场来源于导带

6、和价带的自发辐射，频谱较宽，方向也杂乱无章。为了得到单色性和方向性好的激光输出，必须构成光学谐振腔。在1.3.2节中，我们已讨论了法布里-珀罗（Fabry-Perot）谐振腔的构成和工作原理。在半导体激光器中，用晶体的天然解理面（Cleaved Facets）构成法布里-珀罗谐振腔，如图4.2.4所示。要使光在谐振腔里建立起稳定的振荡，必须满足一定的相位条件和阈值条件，相位条件使谐振腔内的前向和后向光波发生相干，阈值条件使腔内获得的光增益正好与腔内损耗相抵消。谐振腔里存在着损耗，如镜面的反射损耗、工作物质的吸收和散射损耗等。只有谐振腔里的光增益和损耗值保持相等，并且谐振腔内的前向和后向光波发生

7、相干时，才能在谐振腔的两个端面输出谱线很窄的相干光束。前端面发射的光约有50 %耦合进入光纤，如图4.2.3（a）所示。后端面发射的光，由封装在内的光电检测器接收变为光电流，经过反馈控制回路，使激光器输出功率保持恒定（图4.2.3（a）没有画出）。图4.2.5表示半导体激光器频谱特性的形成过程，它是由谐振腔内的增益谱和允许产生的腔模谱共同作用形成的。4-7 激光器起振的阈值条件是什么答：阈值条件是使腔内获得的光增益正好与腔内损耗相抵消。4-8 激光器起振的相位条件是什么答：相位条件是使谐振腔内的前向和后向光波发生相干。4-9 光学谐振腔存在哪些损耗？答：光学谐振腔体存在的损耗有增益介质单位长度

8、的吸收损耗和由于解理面反射率小于 1 而导致的损耗。 4-10 实际使用中为什么总是用热电制冷器对激光器进行冷却和温度控制答：半导体激光器的阈值电流和输出功率是随温度而变化，另外，激光器的发射波长也随温度而变化。对于1.55 mm器件，每增加1，频率变化13 GHz。频率随注入电流的变化虽然随器件而异，但典型值为每毫安变化130 GHz。通常要求频率变化不应超过调制带宽的1/10。实验表明，假如偏流控制在0.1mA以内变化，采用自动温度控制后，波长稳定在几百兆赫变化，则现有商用DFB激光器就可以使用。许多商品化激光器组件包含了可以维持阈值电流相对恒定的器件，通常能够使温度稳定到以下。图4.6.

9、2表示使用反馈控制的激光器自动温度控制电路原理图。安装在热电制冷器上的热敏电阻，其阻抗与温度有关，它构成了电阻桥的一臂。热电制冷器采用珀尔帖效应产生制冷，它的制冷效果与施加的电流成线性关系。为防止制冷器内部发热引起性能下降，在制冷器上加装面积足够大的散热片是必要的。图4.6.2 激光器的自动温度控制原理图4-11 半导体激光器的基本特性是什么答：半导体激光器的基本特性有阈值电流、温度特性、波长特性。半导体激光器属于阈值性器件，即当注入电流大于阈值点时才有激光输出，否则为荧光输出。半导体激光器的阈值电流和输出功率是随温度而变化，另外，激光器的发射波长也随温度而变化。激光器的波长特性可以用中心波长

10、、光谱宽度以及光谱模数三个参数来描述。4-12 简述DFB激光器的工作原理答：DFB半导体激光器可分为两类：分布反馈（DFB）激光器和分布布拉格反射（Distributed Bragg Reflector，DBR）激光器。图4.3.6为DBR激光器的结构及其工作原理，如图所示，DBR激光器除有源区外，还在紧靠其右侧增加了一段分布式布拉格反射器，它起着衍射光栅的作用。这种衍射光栅相当于在3.4.5节介绍的频率选择电介质镜，也相当于在1.3.2节介绍的反射衍射光栅。衍射光栅产生布拉格衍射，DBR激光器的输出是反射光相长干涉的结果。只有当波长等于两倍光栅间距 L 时，反射波才相互加强，发生相长干涉。

11、例如，当部分反射波A和B的路程差为2L 时，它们才发生相长干涉。DBR的模式选择性来自布拉格条件，即只有当布拉格波长满足同相干涉条件 （4.3.2）时，相长干涉才会发生。式中，L 为光栅间距（衍射周期），为介质折射率，整数m为布拉格衍射阶数。因此 DBR 激光器围绕具有高的反射，离开则反射就减小。其结果是只能产生特别的 F-P 腔模式，在图4.3.5中，只有靠近的波长才有激光输出。一阶布拉格衍射（m = 1）的相长干涉最强。假如在式（4.3.2）中，mm，此时 DFB 激光器的L只有235 nm。这样细小的光栅可使用全息技术来制作。图4.3.7 DBR激光器结构及其工作原理4-13 简述耦合腔

12、波长可调谐激光器的工作原理答：耦合腔半导体激光器可以实现单纵模工作，这是靠把光耦合到一个外腔实现的，如 图4.4.1所示。外腔镜面把光的一部分反射回激光腔。外腔反馈回来的光不一定与激光腔内的光场同相位，因为在外腔中产生了相位偏移。只有波长几乎与外腔纵模中的一个模相同时才能产生同相反馈。实际上，面向外腔的激光器界面的有效反射与波长有关，从而导致产生如图4.4.1所示的损耗曲线，它最接近增益峰，并且具有最低腔体损耗的纵模才变成主模。图4.4.1 耦合腔激光器中的纵模选择性一种单片集成的耦合腔激光器称为C3激光器。C3指的是切开的耦合腔（Cleaved Coupled Cavity），如图4.4.2

13、所示。这种激光器是这样制成的，把常规多模半导体激光器从中间切开，一段长为L，另一段为D，分别加以驱动电流。中间是一个很窄的空气隙（宽约1 mm），切开界面的反射约为30 %，只要间隙不是太宽，就可以在两部分之间产生足够强的耦合。在本例中，因为，所以L段中的模式间距要比D段中的密。这两段的模式只有在较大的距离上才能完全一致，产生复合腔的发射模，如图4.4.2（b）所示。因此C3激光器可以实现单纵模工作。改变一个腔体的注入电流，C3激光器可以实现约为20 nm范围的波长调谐。然而，由于约2 nm的逐次模式跳动，调谐是不连续的。图4.4.2 C3激光器的结构及其单纵模输出原理4-14 简述阵列半导体

14、光放大器（SOA）集成光栅腔体激光器的工作原理 答：阵列半导体光放大器（SOA）集成光栅腔体激光器，其发射波长可以精确设置在指定位置。借助激活该器件的不同SOA，不同波长梳的任一波长均可发射，其波长间距也可以精确地预先确定，而且该器件的制造也比较简单。与图4.4.3（a）表示的外腔半导体激光器相比，图4.4.6（a）表示的激光器可以看做单片集成两元外腔光栅激光器，即一个集成的固定光栅和一个SOA阵列，而不是仅用单个有源元件和外部的旋转光栅。当SOA阵列中的任何一个注入电流泵浦时，它就以它在光栅中的相对位置确定的波长发射光谱。因为这种几何位置是被光刻掩埋精确确定的，所以设计的发射波长在光梳中的位

15、置也是精确确定的。阵列SOA集成光栅腔体波长可调激光器，其谐振腔类似于3.4.2节已讨论过的波导光栅复用/解复用器。在这种激光器中，右边的平板衍射光栅和左边InP/InGaAsP/InP双异质结有源波导条（SOA）之间构成了该激光器的主体。有源条的外部界面和光栅共同构成了谐振腔的反射边界。右边的光栅由垂直向下蚀刻波导芯构成的凹面反射界面组成，以便聚焦衍射返回的光到有源条的内部端面上。这些条是直接位于波导芯上部的InGaAs/InGaAsP多量子阱（MQW）有源区。这种激光器面积只有143 mm2，有源条和光栅的间距为10 mm，有源条长2 mm，宽67 mm，条距40 mm，衍射区是标准的半径

16、9 mm 的罗兰（Rowland）圆。由图4.4.6可见，从O点发出的光经光栅的PN和P0点反射后回到O点，产生的路径差DL = 2LN - 2L0，由1.2.2节可知，为了使从PN和P0点反射回到O点的光发生相长干涉，其相位差必须是2p的整数倍见式（1.2.8），由此可以得到与路径差有关相位差是图4.4.7 阵列SOA集成光栅腔体波长可调激光器Df =， m = 0, 1, 2, （4.4.1）因为，式中n是波导的折射率，所以可以得到与路径差有关（即与SOA位置有关）的波长为 （4.4.2）如果在真空中，则n =1，则也和用式（1.3.3）得出的结论相同。一个SOA的典型发射光谱如图4.4.

17、6（b）所示。测量得到的激光输出的纵模间距和谱宽分别与设计的腔体长度和有源条位置和宽度一致，如图4.4.6（c）所示。4-15 简述阵列波导光栅（AWG） PIC波长可调激光器的工作原理。答：平板阵列波导光栅（AWG）由N个输入波导、N个输出波导、两个在3.2.3节讨论过的结构相同的N M平板波导星形耦合器以及一个有M个波导的平板阵列波导光栅组成，这里M可以等于N，也可以不等于N。这种光栅相邻波导间具有恒定的路径长度差，如图4.4.7（a）所示。AWG光栅工作原理是基于马赫-曾德尔干涉仪的原理（见3.3.2节），即多个单色光经过不同的光程传输后的干涉理论。图4.4.9 阵列波导光栅（AWG）由

18、于阵列波导中的波导长度不等，相位延迟也不等，由式（1.2.8）可知， 其相邻波导间的相位差为 （4.4.5）式中，k是波矢量，k = 2pn/l，DL是相邻波导间的路径长度差，通常为几十微米，所以输出端口与波长有一一对应的关系。 AWG多频激光器PIC中间是波导光栅路由器（Waveguide Grating Router，WGR）滤波器，右侧是阵列半导体光放大器（SOA），左侧是一个功率放大SOA。芯片右侧镜面镀高反射率（HR）膜，左侧则镀半反射膜以便输出AWG多频激光器谐振腔的光，如图4.4.9（a）所示。图4.4.11 AWG多频激光器AWG多频激光器的信道间距取决于AWG腔体内的波导光栅

19、路由器的几何尺寸，因此，每个激光器的波长非常稳定，制造时可重复性好。4-16 简述VCSEL激光器的工作原理答：图4.5.1表示垂直腔表面发射激光器（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL）的示意图。有源区的长度L与边发射器件比较非常短，光从腔体表面发射，而不是腔体边沿。腔体两端的反射器是由3.4.5节介绍的电介质镜组成，即由厚度为的高低折射率层交错组成。如果组成电介质镜的高低介质层折射率、和、满足 （4.5.1）该电介质镜就对波长产生很强的选择性，从界面上反射的部分透射光相长干涉，使反射光增强，经过几层这样的反射后，透射光强度将很小，而反射系

20、数将达到1。因为这样的介质镜就像一个折射率周期变化的光栅，所以该电介质镜本质上是一个分布布拉格反射器。选择式（4.5.1）中的波长与有源层的光增益一致，因为有源区腔长z很短，所以需要高反射的端面，这是由于光增益与exp(gz)成正比，这里g是光增益系数。因为有源层通常很薄（），就像一个多量子阱，所以阈值电流很小，仅为0.1mA，工作电流仅为几mA。由于器件体积小，降低了电容，适用于10 Gb/s的高速调制系统。由于该器件不需要解理面切割就能工作，制造简单，成本低，所以它又适合在接入网中使用。 图4.5.1 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）示意图4-17 LED和LD的主要区别是什么答：LED本质上是非相干光源，它的发射光谱就是半导体材料导带和价带的自发辐射谱线，所以谱线较宽。对于用GaAlAs材料制作的LED，发射光谱宽度约为3050nm，而对长波长InGaAsP材料制作的LED，发射谱线为60120 nm。因为LED的光谱很宽，所以光在光纤中传输时，材料色散和波导色散较严重，这对光纤通信非常不利。LD有多模激光器和单模激光器之分。多模激光器指的是多纵模或多频激光器，模间距为0.130.9 nm。通常高速传输系统用的半导体激光器的频谱宽度为5 nm。单模激光器的频谱宽度因为很窄，所以称为线宽，它与有源区的设计密切相关。图4.6.3 LED和LD的光谱特性