半导体物理综合练习题3参考答案 .doc
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1、1、晶格常数2.5的一维晶格,当外加102V/m和107V/m电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需时间。(1=10nm=10-10m)2、指出下图中各表示的是什么半导体?3、如图所示,解释一下n0T关系曲线。、若费米能EF=5eV,利用费米分布函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的概率为。并计算在该温度下电子分布概率0.90.1所对应的能量区间。、两块n型硅材料,在某一温度T时,第一块与第二块的电子密度之比为n1/n2=e(e是自然对数的底)()如果第一块材料的费米能级在导带底之下k0T,试求出第二块材料中费米能级的位置;()求出两块材料中空穴密度之比p1/p2。6、硼的密
2、度分别为NA1和NA2(NA1NA2)的两个硅样品,在室温条件下:()哪个样品的少子密度低?()哪个样品的EF离价带顶近?()如果再掺入少量的磷(磷的密度ND NA2),它们的EF如何变化?7、现有三块半导体硅材料,已知在室温下(K)它们的空穴浓度分别为p01=2.251016cm-3、 p02=1.51010cm-3 、p03=2.25104cm-3。()分别计算这三块材料的电子浓度n01 、n02、 n03;()判别这三块材料的导电类型;()分别计算这三块材料的费米能级的位置。、室温下,本征锗的电阻率为47cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温
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