工艺库命名问题.docx

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1、工艺库命名问题：1,例如smicl8mm_1P51VL （中芯国际180nm, mm为混合信号，IP代表1层ploy多晶硅 层，5M代表5层金属层，后面数字代表发布时间和版本号）；2. TSMC安装库的时候会有选项：LO （logic数字逻辑，不带厚金属），MM （mixed signal 混合信号），RF （radio frequency射频工艺，一般带顶层厚金属用来做电感）；spectre ac分析 stb分析 pss-pac分析有何不同简单的来说，AC分析是把DC工作点看做交流地的，在这个基础上再进行AC小信号 分析。而PAC分析中，电路的DC工作点是变化的，每个变化的DC工作点都对应一

2、个AC 分析，这个AC分析是随时间变化的，所以是PAC分析。stb分析是基于AC分析的。stb使用return ratio的方法，pac使用开环的方法。stb的 结果最准确。-.Ac仿真的理解在仿AC的时候，Magnitude是一个假定的选项，假如你加的直流偏置满足使所有的管 子都工作在饱和区，在Magnitude项可以填任意的数，这个和仿AC没任何关系，填IV只 是为了方便而所取得的值，例如放大倍数是60dB,在不将所得到的AC信号进行dB转换时 可以看到纵坐标是1000V/V,也就是说输入IV得到1000V,综上所述，Magnitude是假定 项，填1只是为了方便计算放大的数值，所以看你个

3、人了！二.PAC仿真PAC是类似AC分析的一种小信号分析，只是AC分析针对的是简单的DC工作点，而 PAC是周期时变工作点，当小正弦信号施加到周期时变线性电路的时候，电路得到各次谐 波的响应，PAC计算这一系列的传递函数，每一个传递函数对应一个频率。简称1对N。PXF直接计算一些有用的特性如转换效率，镜像和边带抑制，电源抑制。当receiver在输 入端有不同的spurs的时候，PXF可以计算不同的转换增益。简称N对1。简而言之，她们的应用不同，PAC适合于描述对于一个特定频率的输入信号，输出的 sidebands的情况；PXF适合于描述对于一个特定的边带输出，由哪些输入images产生。同样

4、计算转换增益，PXF比PAC更适合，因为PXF提供了 RF端口所有频率转换到IF边 带的信息。对于OSCILLATORS, PXF还可以决定tstab值。三.hbnoise （不同于hb, hb是大信号仿真）属于小信号仿真，不受大信号机制的限制（例如削波或者摆率）。结果，在低偏移频率 下，相位噪声可能会明显大于OdBc/Hz。这表明噪声大于振荡，这在物理上是不可能的。如果要在低频下看到相位噪声曲线趋于平稳，请在Options-lorentzian选项设置为yeso四.sp 和 port问：最近在仿真电路时发现port设置成DC IV,仿真出来port的DC是2VO然后发现测量 仪器上port设

5、置的电压和最后电压表测出来也是这样子两倍的关系。这是为什么？答：因为设置DC为IV,阻值50Q的情况下，port器件的定义是一个理想的2V电压源串联 一个50Q到地的电阻，只有连接的负载回路阻值等于50Q的时候DC仿真端口的电压才等于 lVo与ac仿真不同，ac直接是小信号加到输入端，对静态偏置没有影响。（如下图左边是port,右边是它的实际模型）五.Filler cell tieh和tiel是将电位tie到power和gnd的单元，因为有些mos的gate需要固定接高电平或低 电平，如果是直接和电源地相连，容易对栅造成损坏；而使用tieh和tiel同时也可以有效地防止 esdofiller

6、cell也就是所谓的pickup,是用来给衬底施加电位保证衬底和器件的pn结反偏，毫无疑问， filler越多，对应的psub和nwell电位连接就越充分。lz可以去看下latchup的原理，其中两个 电阻rwell和rsub,增加filler也就相当于减小这两个电阻，可以有效防止三极管进入放大模式， 从而防止latchupo六.De仿真的regionregion=0： cut-off region=l: triode region=2： saturation region=3： sub-threshold region=4： breakdown七. Monte Carlo 和 Mismatc

7、h主要是考虑到片子烧出来以后和你设计时的参数总会有所出入，蒙特卡洛的目的就是要预 测到这些可能的情况。举个很简单的例子吧：两个大电流相减，比如100uA-98uA,你得至ij 2uA； 但是很不幸，100uA和98uA都有1%的最大误差，所以你有可能得到100*1.01-98*0.99=3.98, 或者100*0.99-98*1.01=0.02,最后你有可能得到的就是0.02uA到3.98uA之间的任意一个数 值，和你设计的2uA相比，最大误差是+/-100%；当然啦，这只是两个极端，发生的可能性很 小，但是毕竟是大误差。怎么改进？那就看你用什么软件还有PDKo怎么改电路，那就完全看你做什么东

8、西了，不是 一句话两句话说得清楚的。对了，既然提到蒙特卡罗，不要忘了跑Corner Analysis,这两项合起 来基本上就是Process,还有Supply Voltage和Temperature,合起来就是PVT,都需要考虑。 当然啦，有时候V并不是很重要，比如说你有一个很厉害的Regulator（不过再厉害也会有所变 动，如果你的电路对电压很敏感的话，还是要考虑V的）。mismatch是电路设计中至关重要的一个参数，在基本模块的设计中需要特殊关注。在运放， 带隙，LDO,比较器中都拥有者无与伦比的位置。如果说，一个带隙没有考虑mismatch,那么 这个带隙绝逼是失败的作品。mismatch的重要性，不再累述mismatch研究的方法在哪里呢？这是在研究任何问题之前都需要讨论的，因为直接关系研 究的方向和结果。本人抛砖引玉，认为mismatch的研究应该包括：(1)基础模块的原理(电流 镜的 mismatch) , (2)系统的 mismatch, (3) mismatch 的手算,(4) mismatch 的仿真, (4) mismatch的优化几个方向进行。个人力量毕竟有限，希望同志们多多佐证，提供参考。接 下来，介绍mismatch的原理。