纳米材料的磁学性能课件.ppt
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1、 3.4纳米材料的磁学性能13.4.1 3.4.1 磁学性能的尺寸效应磁学性能的尺寸效应2磁性是物质的基本属性 地球磁场地球就是一块巨大的磁铁,它的N极在地理的南极附近,而S极在地理的北极附近。3 磁性材料是古老而年轻的功能材料磁性材料是古老而年轻的功能材料司南用天然磁石琢磨而成,重心位于底部正中,底盘光滑,四周刻有二十四向,使用时把长勺放在底盘上,用手轻拨,停下后长柄就指向南方4地磁起源?沈括(10341094)梦溪笔谈“以磁石磨针锋,则能指南,然常微偏东,不全南也”吉尔伯特磁体(1600)地球本身就是一块巨大的磁石,磁子午线汇交于地球两个相反的端点即磁极上5各种假说假说一:地球内部有一个巨
2、大的磁铁矿(铁、镍等)无法解释:铁磁物质在温度升高到760以后,就会丧失磁性假说二:地球的环形电流产生地球的磁场,地球的自转-铁镍(熔融状态)转动-内部电子定向转动-环形电流-磁场 无法解释:地球磁场在历史上的几次倒转保护地球免受来自太空的宇宙射线的侵入6宇航员头盔的密封是纳米磁性材料的最早的重要应用之一-磁性液体飞船和宇航员头盔内部的压力舱外的压力宇宙的温度大气压力接近真空很低最好的橡胶密封寿命-几小时磁性液体理论上寿命是无限的磁性液体理论上寿命是无限的7许多生物体内就有天然的纳米磁性粒子例如:蜜蜂、海豚、鸽子、石鳖、磁性细菌等8物质的磁性从何而来?电荷的运动电荷的运动来源于构成物质的原子-
3、原子核和围绕原子核运动的电子9电子的自转会使电子本身具有磁性,成为一个小小的磁铁,具有N极和S极。电子的自转方向总共有上下两种。在一些数物质中,具有向上自转和向下自转的电子数目一样多电子数目一样多,它们产生的磁极会互相抵消,整个原子,以至于整个物体对外没有磁性没有磁性。10少数物质(例如铁、钴、镍),它们的原子内部电子在不同自转方向上的数量不一样数量不一样,这样,在自转相反的电子磁矩互相抵消以后,还剩余一部分电子的磁矩没有被抵消,这样,整个原子具有总的磁矩具有总的磁矩。同时,由于一种被称为“交换作用交换作用”的机理,这些原子磁矩之间被整齐地排列起来整齐地排列起来,整个物体也就有了磁性有了磁性。
4、11 磁学性能的尺寸效应磁学性能的尺寸效应 矫顽力矫顽力 超顺磁性超顺磁性 饱和磁化强度、居里温度与磁化率饱和磁化强度、居里温度与磁化率12 磁学性能的尺寸效应磁学性能的尺寸效应晶粒尺寸进入纳米范围磁性材料的磁学性能具有明显尺寸效应使得纳米材料具有许多粗晶或微米晶材料所不具备的磁学特性。13例如:纳米丝 由于长度和直径比((L/d))很大,具有很强的形状各向异性。当其直径小于某一临界值时,在零磁场下具有沿丝轴方向磁化的特性。有限长度的原子链在低温条件下具有磁性。这是迄今为止发现的最小磁体。美国研究人员发现纳米金刚石具有磁性.矫顽力、饱和磁化强度、居里温度等磁学参数都与晶粒尺寸相关。14磁性粒子
5、通常总是以偶极子(南北两极)的形式成对出现,把一根磁棒截成两段,可以得到两根新磁棒,它们都有南极和北极。事实上,不管你怎样切割,新得到的每一段小磁铁总有两个磁极。磁和电有很多相似之处。例如,同种电荷互相推斥,异种电荷互相吸引;同名磁极也互相推斥,异名磁极也互相吸引。正、负电荷能够单独存在,单个磁极能不能单独存在呢?磁单极存在吗?磁单极存在吗?15什么是矫顽力?也称为矫顽性或保磁力,是磁性材料的特性之一,是指在磁性材料已经磁化到磁饱和后,要使其磁化强度减到零所需要的磁场强度。矫顽力代表磁性材料抵抗退磁的能力。16对于大致球形的晶粒对于大致球形的晶粒晶粒尺寸的减小矫顽力增加Hc达到一最大值晶粒的进
6、一步减小矫顽力反而下降晶粒尺寸相当于单畴的尺寸对于不同的合金系统,其尺寸范围在几十至几百纳米。17当晶粒尺寸大于单畴尺寸时,矫顽力当晶粒尺寸大于单畴尺寸时,矫顽力H HC C与平均晶粒尺与平均晶粒尺寸寸D D的关系为:的关系为:式中式中C C是与材料有关的常数。纳米材料的晶粒尺寸是与材料有关的常数。纳米材料的晶粒尺寸大于单畴尺寸时矫顽力亦随晶粒的减小而增加,符合大于单畴尺寸时矫顽力亦随晶粒的减小而增加,符合上上式。式。18 当纳米材料的晶粒尺寸小于某一尺寸后,当纳米材料的晶粒尺寸小于某一尺寸后,矫顽力随晶粒的减小急剧降低。此时矫顽力与矫顽力随晶粒的减小急剧降低。此时矫顽力与晶粒尺寸的关系为:晶
7、粒尺寸的关系为:式中式中C C”为与材料有关的常数。为与材料有关的常数。该公式该公式关系与关系与实测数据符合很好。实测数据符合很好。例如:例如:19 Fe基合金矫顽力HC与晶粒尺寸D的关系20左图补充了左图补充了FeFe和和Fe-CoFe-Co合金微粒合金微粒在在1 11000 nm1000 nm范范围内矫顽力围内矫顽力HC与微粒平均尺寸与微粒平均尺寸D之间的关系,之间的关系,图中同时给出了图中同时给出了剩磁比剩磁比 与与D的关系。的关系。Fe和Fe-Co微粒磁性的尺寸效应(a)Fe (b)Fe-Co21微粒的矫顽力HC与直径D的关系(尺寸效应)当 DDcrit时,粒子为多畴多畴,其反磁化为畴
8、壁位移过程,HC相对较小;当DDcrit 时,粒子为单畴单畴;当dcritDDcrit 时,出现非均匀转动,HC 随D的减小而增大;当dthDdcrit 时,出现均匀转动区,HC 达极大值;当D T Tc c时,由于原子的剧烈热运动,原子磁矩的排列是混乱无序的。T T T Tc c时,原子磁矩排列整齐,产生自发磁化。33 T T T Tc c顺磁性,磁体的磁场很容易随周围磁场的改变而改变。居里温度是指材料可以在铁磁体和顺磁体顺磁体之间改变的温度。34纳米材料通常具有较低的居里温度例如:70nmNi70nmNi的居里温度比粗晶NiNi的低4040。反例:反例:直径在225nm时MnFeO4微粒的
9、居里温度升高。纳米材料中存在的庞大的表面或界面是引起 下降的主要原因。随着自发极化区域尺度的减小,表/界面所占的体积分数增加,活性增大,材料抵抗外场的能力下降,表现在居里温度的降低。的下降对于纳米磁性材料的应用是不利的。35图.钆纳米晶体中居里温度改变值随平均晶粒尺寸的变化 图中纵坐标为居里温度下降值(TC纳米晶体-TC粗晶),由图可见随钆纳米晶体平均晶粒尺寸的减小,居里温度呈线性下降趋势。D.Michelsetal.JournalofMagnetismandMagneticMaterials.2002,250,203.36什么是什么是磁化率磁化率?在宏观上,物体在磁场中被磁化的强度MM与磁场
10、强度H H有关,M=M=H H,为为磁化率磁化率,是一个无量纲常数,是一个无量纲常数。顺磁性物质铁磁性物质与与尺尺寸寸无无关关37每个微粒所含的电子数可为奇或偶。一价简单金属微粒,一半粒子的电子数为奇,另一半为偶;两价金属粒子的传导电子数为偶。纳米微粒的磁化率它所含的它所含的总总电子数的电子数的奇偶性奇偶性温温度度密切相关与38电子数为奇或偶数的粒子的磁性有不同的温度特点温度特点和尺寸规律尺寸规律电子数为奇数奇数的粒子,磁化率服从居里-外斯定律:=C C/(/(T T-T Tc)c)磁化率与温度成反比量子尺寸效应使磁化率遵从 d d-3-3规律。电子数为偶数的系统 kBT磁化率与温度成正比量子
11、尺寸效应使磁化率遵从 d d2 2规律。39MgFe2O4颗粒的磁化率与温度和粒径的关系每一粒径的颗粒均有一每一粒径的颗粒均有一对应最大值对应最大值 值的温度,值的温度,称称“冻结或截至冻结或截至”温度温度 ,高于高于 ,值开始下降。值开始下降。对应于对应于热激活能热激活能的门槛值。的门槛值。温度高于温度高于 时,纳米颗粒时,纳米颗粒的的晶体各向异性晶体各向异性被被热激活热激活能能克服,显示出超顺磁特性。克服,显示出超顺磁特性。403.4.2 3.4.2 巨磁电阻效应巨磁电阻效应41巨磁电阻效应巨磁电阻效应多层膜的多层膜的GMR效应效应自旋阀的自旋阀的GMR效应效应纳米颗粒膜的纳米颗粒膜的GM
12、R效应效应隧道型隧道型TMR效应效应超巨磁阻(超巨磁阻(CMR)效应)效应巨磁阻效应的应用巨磁阻效应的应用42 巨磁电阻效应巨磁电阻效应 外加磁场引起材料电阻率的变化磁电阻或磁阻效应(MR)43普通材料的磁阻效应很小。如:工业上有使用价值的坡莫尔合金的各向异性磁阻(AMRAMR)效应最大值也末突破2.52.5。19881988年,BaibichBaibich等人在由FeFe、CrCr交替沉积而形成的纳米多层膜中发现了超过5050的MRMR,且为各向同性,负效应,这种现象被称为巨磁电阻(GiantGiant MagnetoresistanceMagnetoresistance,GMRGMR)效应
13、。4419921992年,年,BerkowitzBerkowitz等人在等人在Cu-CoCu-Co等颗粒膜中也观察到等颗粒膜中也观察到GMRGMR效应。效应。19931993年,HelmoltHelmolt等人在类钙钛矿结构的稀土MnMn氧化物中观察到R R/R R可达10103 310106 6的超巨磁阻效应,又称庞磁阻效(CMRCMR)。对GMR的研究工作,在不长的时间内取得了令人瞩目的研究成果,1995年美国物理学会已将GMR效应列为当年凝聚态物理中五个研究热点的首位。452007年诺贝尔物理奖巨磁电阻。“巨磁电阻”效应,也就是指在一个巨磁电阻系统中,非常弱小的磁性变化就能导致巨大的电阻
14、变化的特殊效应。而我们知道,如果想要制造容量越来越大、体积越来越小的硬盘,必须解决如何将弱小的磁信号变化放大为清晰的电信号的棘手问题。借助“巨磁电阻”效应,人们能够制造出更加灵敏的数据读出头,将越来越弱的磁信号读出来后因为电阻的巨大变化而转换成为明显的电流变化,使得大容量的小硬盘成为可能。2007年诺贝尔物理奖得主的获奖成果,离我们是如此之近。在我们背包中的笔记本电脑里,在我们口袋中的音乐播放器里,我们都能分享到这一伟大成果所带来的福祉。法国AlbertFert德国PeterGrnberg46 目前,已发现具有GMR效应的材料主要有多层膜多层膜、自旋阀自旋阀、颗粒膜颗粒膜、非连续多层膜非连续多
15、层膜、氧化物超巨磁电阻薄膜氧化物超巨磁电阻薄膜等五大类。GMR,CMR,TMR效应将在小型化和微型化高密度磁记录读出头、随机存储器和传感器中获得应用。47多层膜的GMR效应 3d3d过渡族金属铁磁性元素或其合金CuCu、CrCr、AgAg、AuAu等导体构成的金属超晶格多层膜满足三个条件具有GMRGMR效应481 1)铁磁性导体/非铁磁性导体超晶格中,铁磁性导体层之间构成自发磁化矢量的反平行结构(零磁场),相邻磁层磁矩的相对取向能够在外磁场作用下发生改变。铁磁性层铁磁性层非磁性隔离层非磁性隔离层铁磁性层铁磁性层非磁性隔离层非磁性隔离层铁磁性层铁磁性层GMR多层膜的结构(a)零磁场时(b)超过饱
16、和磁场时492 2)金属超晶格的周期(每一重复的厚度,即调制波长)应比载流电子的平均自由程短平均自由程短。例如:CuCu中电子的平均自由程大致在34nm34nm左右。实际上,Fe/CrFe/Cr及Cu/CoCu/Co等非磁性导体层/磁性导体的单元厚度一般都在几纳米以下。3 3)自旋取向不同的两种电子(向上和向下),在磁性原子上的散射差别必须很大散射差别必须很大。50Fe/Cr多层膜的GMR(4.2K)效应Baibich M N,Broto J M,Fert A.PRL.1988.61,2473.Fe/Cr Fe/Cr金属超晶格巨磁阻金属超晶格巨磁阻效应如图所示。图中纵轴效应如图所示。图中纵轴是
17、外加磁场为零时的电阻是外加磁场为零时的电阻R R(H(H0)0)为基准归一化的相为基准归一化的相对阻值,对阻值,横轴为外加磁场横轴为外加磁场。FeFe膜厚膜厚3nm3nm,CrCr膜厚膜厚0.9nm0.9nm,积层周期为,积层周期为6060,构成超,构成超晶格。通过外加磁场,其晶格。通过外加磁场,其电电阻值降低达大约阻值降低达大约5050。51 GMRGMR效应对于效应对于非磁性导体隔离层的厚度非磁性导体隔离层的厚度十分敏感。在十分敏感。在任意单位下,相对于隔离层厚度,最大任意单位下,相对于隔离层厚度,最大MRMR比呈现出振动特比呈现出振动特性。性。随非磁导体隔离层厚度的增加,电阻变化趋缓随非
18、磁导体隔离层厚度的增加,电阻变化趋缓。对于。对于Co/CuCo/Cu系统来说,系统来说,P1P1、P2P2、P3P3三个峰的位置分别在三个峰的位置分别在1nm1nm、2nm2nm、3nm3nm附近,显示出较好的周期性。附近,显示出较好的周期性。非磁性导体隔离层对非磁性导体隔离层对GMR的影响的影响52用Mott关于铁磁性金属电导的理论(二流体模型)来解释。在铁磁金属中,导电的s电子要受到磁性原子磁矩的散射散射作用,散射的几率散射的几率取决于:导电的s s电子自旋方向电子自旋方向与固体中磁性原子磁矩方向的相对取向磁矩方向的相对取向。自旋方向与磁矩方向一致一致的电子受到的散射作用很弱很弱,自旋方向
19、与磁矩方向相反相反的电子则受到强烈强烈的散射作用,而传导电子受到散射作用的强弱直接影响到材料电阻的大小。GMRGMR的原理53A A)没有外加磁场时,相邻磁层存在)没有外加磁场时,相邻磁层存在反平行磁矩反平行磁矩两种自旋状态的传导电子都在穿过磁矩取向与其两种自旋状态的传导电子都在穿过磁矩取向与其自旋方向相同的一个磁层自旋方向相同的一个磁层后,遇到另一个后,遇到另一个磁矩取向与其磁矩取向与其自旋方向相反的磁层自旋方向相反的磁层,并在那里受到,并在那里受到强烈的散射强烈的散射作用,作用,也就是说,没有哪种自旋状态的电子也就是说,没有哪种自旋状态的电子可以穿越两个或两个可以穿越两个或两个以上的磁层以
20、上的磁层。在宏观上,多层膜处于在宏观上,多层膜处于高电阻状态。高电阻状态。54B B)外加磁场足够大,)外加磁场足够大,反平行排列反平行排列的各层磁矩都的各层磁矩都沿外场方向排列一致沿外场方向排列一致。传导电子中,自旋方向与磁矩传导电子中,自旋方向与磁矩取向相同取向相同的那一半电子可以很容易的那一半电子可以很容易地穿过许多磁层而只受到地穿过许多磁层而只受到很弱的散射很弱的散射,而另一半自旋方向与磁矩而另一半自旋方向与磁矩取向相反取向相反的电子则在每一磁层都受到的电子则在每一磁层都受到强烈的散射强烈的散射作用。作用。有一半传导电子存在一低电阻通道。有一半传导电子存在一低电阻通道。在宏观上,多层膜
21、处于在宏观上,多层膜处于低电阻状态低电阻状态,这样就产生了这样就产生了GMR现象。现象。55 上述模型的描述是上述模型的描述是非常粗略非常粗略的,而且只考虑了电子在磁的,而且只考虑了电子在磁层内部的散射,即所谓的层内部的散射,即所谓的体散射体散射。实际上,在磁层与非磁层界面处的实际上,在磁层与非磁层界面处的自旋相关散射自旋相关散射有时更为有时更为重要,尤其是在一些重要,尤其是在一些GMRGMR较大的多膜层系统中,较大的多膜层系统中,界面散射作界面散射作用占主导地位用占主导地位。虽然多膜层具有很高的。虽然多膜层具有很高的GMRGMR,但由于强反铁,但由于强反铁磁耦合使饱和磁场高(磁耦合使饱和磁场
22、高(1T1T),其磁场传感灵敏度),其磁场传感灵敏度S=S=R/(RHR/(RHS S)低于低于0.010.01/Oe/Oe,远小于玻莫尔合金的灵敏度,远小于玻莫尔合金的灵敏度0.30.3/Oe/Oe。56 巨磁阻磁头的核心部分是四层膜:自由膜、非磁性膜、引线膜和反铁自由膜、非磁性膜、引线膜和反铁磁膜磁膜。其中,其中,自由膜自由膜和和引线膜引线膜采用的是磁性材料,采用的是磁性材料,自由膜自由膜属于属于软磁材料软磁材料,引线膜引线膜使用使用硬磁材料硬磁材料,它们之间是一层,它们之间是一层非磁性膜非磁性膜,其采用,其采用非磁性金属材非磁性金属材料料,对自由膜和引线膜进行磁隔离,但不进行电隔离。,对
23、自由膜和引线膜进行磁隔离,但不进行电隔离。引线膜引线膜的背面是的背面是反铁磁膜反铁磁膜,铁磁和反铁磁材料在交换耦合作用下形成一个偏转场,此偏,铁磁和反铁磁材料在交换耦合作用下形成一个偏转场,此偏转场会将转场会将引线膜引线膜的磁化方向固定。的磁化方向固定。巨磁阻磁头示意图57自由膜自由膜的作用是对盘片上的磁记录信息作响应,在没有外加磁场的情况下,它的磁化方向与引线膜引线膜垂直垂直,此时无论何种自旋方向的电子都很难穿过自由膜和引线膜,相当于电阻值高相当于电阻值高。当盘片上的磁记录位的磁场方向和自由膜自由膜的磁化方向相反时,自由膜自由膜的磁化方向发生偏转,与引线膜引线膜平行,此时自旋方向平行于它们的
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